杨 艺，周春锋，兰天平

(中国电子科技集团公司第四十六研究所 天津300220)

基础研究

降低半绝缘GaAs单晶片亮点缺陷的热处理工艺研究

杨 艺，周春锋，兰天平

(中国电子科技集团公司第四十六研究所 天津300220)

GaAs单晶材料已成为一种重要的微电子和光电子基础材料，应用广泛。为了降低半绝缘砷化镓单晶片表面的亮点缺陷，对砷化镓晶片在不同温度和不同砷蒸汽压条件下进行了热处理，研究了热处理对砷化镓中砷的存在形式转换的影响及其机理。

GaAs单晶片 热处理 亮点缺陷 EL2

0 引 言

近年来，移动通讯、网络技术以及电子产业的迅速发展带动了砷化镓(GaAs)产业的发展。目前，GaAs单晶材料已成为一种重要的微电子和光电子基础材料，已广泛用于微波大功率器件、低噪声器件、微波毫米波单片集成电路、超高速数字电路等电子器件的制造。但 GaAs生产工艺复杂，在高温生长过程中存在化学配比偏离的问题，这会产生亮点缺陷，以及电学参数不满足要求等问题。由于亮点缺陷会影响器件参数，因此对亮点缺陷密度的研究显得尤其重要。[1]本文利用 VGF法生长 C掺杂的半绝缘 GaAs单晶片，研究了热处理对GaAs单晶片亮点缺陷和电学参数尤其是 EL2的影响，同时对其机理进行了讨论。

1 实验过程

本文采用的样品为 VGF法生长的 C掺杂10.15,cm半绝缘GaAs单晶片：预先合成7,N纯度的GaAs多晶料，生长＜100＞方向的 GaAs单晶锭，单晶锭经滚圆、切片、倒角、化抛、清洗后，进行晶片闭管热处理。单晶切片的厚度为740±15,µm。

将GaAs单晶片做闭管热处理，装入热处理温度下产生工艺要求蒸汽压的保护砷，计算保护砷的量。……