【中国专利信息】

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一种羟基多元酸辅助电沉积制备二氧化钛薄膜及二氧化钛三维光子晶体的方法

申请号 201410255702.4

公开日 2014.08.27

申请人 哈尔滨工业大学

地址 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

一种羟基多元酸辅助电沉积制备二氧化钛薄膜及二氧化钛三维光子晶体的方法，本发明涉及一种羟基多元酸辅助电沉积制备二氧化钛薄膜及二氧化钛三维光子晶体的方法。方法：配制四价钛盐浊液，向浊液中加入羟基多元酸和硝酸钾生成无色透明溶液，向无色透明溶液中加入过氧化氢得到红色透明溶液；采用三电极进行电沉积，得到黑色有金属光泽的薄膜；将薄膜转入马弗炉中进行焙烧，得到二氧化钛薄膜。垂直沉积制备PS胶体晶体，采用三电极进行电沉积，得到黑色TiO2/PS三维光子晶体；三维光子晶体自然晾干，转入马弗炉中焙烧，保温机制为500 °C保温两小时，得到二氧化钛三维光子晶体。本发明用于制备二氧化钛薄膜及二氧化钛三维光子晶体。

一种电沉积聚酰亚胺制备三维有序多孔聚酰亚胺薄膜的方法

申请号 201410233148.X

公开日 2014.08.13

申请人 哈尔滨工业大学

地址 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号哈尔滨工业大学格物楼900室

本发明公开了一种电沉积聚酰亚胺制备三维有序多孔聚酰亚胺薄膜的方法。……