《中国制造2025》设定集成电路设备国产化目标

作为我国实施制造强国战略第一个10年的行动纲领，《中国制造2025》对于半导体设备国产化提出了明确要求：

在2020年之前，90～32 nm工艺设备国产化率达到50%，实现90 nm光刻机国产化，封测关键设备国产化率达到50%。

在2025年之前，20～14 nm工艺设备国产化率达到30%，实现浸没式光刻机国产化。

到2030年，实现450 mm工艺设备、EUV光刻机、封测设备的国产化。

从产业链各环节国产化的难度来看，设备＞制造＞封装＞设计是不争的事实。不过，近期国内各地已刮起一阵大规模集成电路晶圆制造生产线的东风。我国半导体设备制造业要抓住这难得的契机，一举实现《中国制造2025》的既定目标。

（来自：中国电子报）