王一晴，郭俊梅，管伟明，闻 明，谭志龙，张俊敏，王传军

(昆明贵金属研究所，昆明 650106)

镍铂合金溅射靶材在半导体制造中的应用及发展趋势

王一晴，郭俊梅，管伟明，闻 明*，谭志龙，张俊敏，王传军

(昆明贵金属研究所，昆明 650106)

镍铂合金靶材广泛应用于半导体工业。通过磁控溅射，镍铂合金靶材在硅器件表面沉积并反应生成镍铂硅化物薄膜，实现半导体接触及互连。对镍铂硅化物在肖特基二极管制造和半导体集成电路中的应用进行了分析，综述了镍铂合金结构与性质悁究成果及制备方法，提出了镍铂合金靶材高纯化、提高磁透率和控制晶粒度的发展趋势。

金属材料；镍铂合金薄膜；镍铂硅化物；溅射靶材；半导体；发展趋势

金属硅化物具有优异的高温抗氧化性以及良好的导电、导热性，已广泛应用于半导体制造中作为优良的接触材料[1-2]。随着金属硅化物的不断发展，主导的硅化物已从钛、钴硅化物逐步发展到低电阻、低耗硅量以及低形成温度的镍硅化物。研究表明，高温下NiSi相易转化成NiSi2稳定相，导致界面粗糙，电阻升高[3]。添加一定量的铂能提高NiSi的高温稳定性，改善NiSi界面形貌，使之适应于精密的接触与互连工艺[4-5]。

目前制备镍铂硅化物薄膜的主流方法是首先在半导体衬底的硅区域形成离子注入层，再在其上制备一层硅外延层，随后采用磁控溅射法在硅外延层的表面溅射一层NiPt薄膜，最后通过退火处理形成镍铂硅化物薄膜。

1 镍铂硅化物薄膜在半导体制造中的应用

1.1 在肖特基二极管制造中的应用