崔佳佳，张新慧，李月彤，周达，张恩和*

(1.甘肃农业大学农学院，甘肃 兰州 730070；2.宁夏医科大学药学院，宁夏 银川 750004；3.宁夏回药现代化工程技术研究中心，宁夏 银川

750004；4.宁夏回医药协同创新中心，宁夏 银川 750004;5.宁夏医科大学回医药现代化省部共建教育部重点实验室，宁夏 银川 750004)

外源Si对盐胁迫下甘草幼苗形态及生理指标的影响

崔佳佳1，张新慧2,3,4,5，李月彤2，周达2，张恩和1*

(1.甘肃农业大学农学院，甘肃 兰州 730070；2.宁夏医科大学药学院，宁夏 银川 750004；3.宁夏回药现代化工程技术研究中心，宁夏 银川

750004；4.宁夏回医药协同创新中心，宁夏 银川 750004;5.宁夏医科大学回医药现代化省部共建教育部重点实验室，宁夏 银川 750004)

摘要：为深入了解Si对盐胁迫下甘草幼苗的影响，本实验采用培养皿滤纸床进行发芽试验，以乌拉尔甘草幼苗为试验材料，在两种浓度NaCl溶液胁迫下设置不同浓度的硅溶液对甘草幼苗进行处理，通过测定幼苗形态(胚根、胚芽)及生理(质膜相对透性、丙二醛和过氧化物酶)指标，以探讨在盐胁迫下外源硅对甘草幼苗形态及生理指标的影响。结果表明，在NaCl胁迫下，加入硅(Si)溶液后可以有效增加幼苗胚芽和胚根的长度及重量。在低盐(100 mmol/L)胁迫下，Si浓度为0.4 mmol/L时对胚根生长的促进最强；在高盐(200 mmol/L)胁迫下，Si浓度为0.8 mmol/L时对胚根生长的促进作用最强。外源Si也不同程度提高了过氧化物酶活性、渗透调节物质脯氨酸含量，以及丙二醛含量和质膜相对透性。由此可见，在盐胁迫条件下，加入适宜浓度的外源硅，可以通过保持一定的抗渗透胁迫能力和清除活性氧的能力，进而保持膜的稳定，来缓解盐胁迫对甘草幼苗生长的抑制作用。……