低功耗CMOS集成电路设计方法分析

2016-01-02戚元泽海南师范大学物理与电子工程学院

电子制作 2016年24期

戚元泽海南师范大学物理与电子工程学院

低功耗CMOS集成电路设计方法分析

戚元泽海南师范大学物理与电子工程学院

在设计电子元器件的过程中，CMOS集成电路由于具有较低的运行能耗，且工作性能相对较强，因而获得极大的应用和推广。随着集成电路相关技术的飞速发展，电路性能得到了良好的提升，集成芯片也得到了有效的强化，而传统的设计方法依然不能适应不断发展的需求。因此本文对低功耗CMOS集成电路设计的方法进行了深入的研究，分析了CMOS继承电路的主要特点，从而详细的阐述了低功耗CMOS集成电路设计的具体方法。

低功耗；CMOS集成电路；设计方法；分析

1.低功耗CMOS集成电路的基本特点

低功耗的CMOS集成电路，其基本的特点主要有以下几点：一是较低的运行功耗。因为该电路使用了场效应管，其内部有很多互补结构，因此在运行时所处的工作状态也有较大的不同。二是抗干扰能力强。在整个集成电路运行的过程中，其电压噪声容量占比为百分之四十五。而随着电压的增加，其噪声的容量也会不断的增加。三是驱动能力强。由于电路自身的输入阻抗较强，因而其驱动能力也相对较强。四是稳定性强。该电路在运行的过程中，其内部散发的热量实际较少，而当外部出现较大的温度变化时，内部参数就能达到相互补偿的目的。五是电路逻辑与范围的摆幅相对较大。