李小博 高于涵 马占营 范广(咸阳师范学院化学与化工学院，陕西 咸阳 712000)

近年来，一维半导体纳米材料的合成及其纳米尺度光电子器件的设计与制造已成为当前纳米科学与技术的前沿领域。SnO2是一种非常重要的宽禁带（3.6eV）透明半导体材料，具有许多独特的光学和电学性质，在化学、生物传感、太阳能电池、光催化、执行器、光电子器件和平板显示等领域具有广泛的应用。自从2001年首次制备出SnO2等氧化物纳米带以来,人们通过热蒸发（TE）、化学气相沉积（CVD）、金属有机化学气相沉积（MOCVD）、激光烧蚀法（LA）和湿化学法制备出了各种各样一维SnO2纳米结构材料，其中有纳米棒[1]、纳米线[2]、鸟嘴状纳米棒[3]、纳米带、Z-结构纳米带[4]、纳米管、纳米弹簧、纳米环、纳米棒阵列以及复杂的分级结构[5]。同时，科学家们还测试SnO2纳米棒、纳米线和纳米带制备出了场效应晶体管、化学传感器。研究了纳米线、纳米带、鸟嘴状纳米棒、纳米草等结构的场发射特性，以及一维结构的氧化锡其他各种性能。然而，迄今未见一维结构SnO2纳米锥阵列的气敏性质报道。一维结构SnO2纳米锥阵列具有很大的比表面积，因此，研究高密度，小尺寸，具有尖端结构的一维SnO2纳米锥阵列具有很大的科学意义。

1 实验方法

称量0.15gSnCl2.2H2O和1.8gZnCl2，将其压碎混合均匀后倒入坩埚。取2×2.5cm2的FTO导电玻璃，分别在去离子水，丙酮和乙醇中超声30分钟，把处理好的FTO导电玻璃竖直的卡入坩埚中。然后将坩埚放置于马弗炉的中央，开始加热。反应以10oC/min的加热从室温加热到600oC，保温1h，反应结束时温度自然冷却到室温。……