半导体器件的技术分析与检测
2015-10-21李新霞
决策与信息·下旬刊 2015年12期
李新霞
[摘要]在半导体器件的技术应用中,半导体器件的失效会对相关产品的正常使用造成相应的影响。本文结合作者工作实践,针对半导体器件工作失效的原因,以及造成的失效进行技术分析并且总结了几种检测方法。以供同仁参考。
[关键词]半导体器件;失效;检测
1.半导体器件失效技术分析
半导体失效的原因有好多种,通过工作中的实践总结,以下我们对其原因从几方面尽心分析。
1.1金属化与器件失效
半导体器件或集成电路稳定可靠性受周边环境应力的影响很大。金属化及其键合处就是最重要的一个不容忽视的造成半导体器件失效的原因。到目前为止,大部分的半导体器件平面处理工艺都采用二氧化硅的掩膜钝化层。为了在芯片上实现真正互连,就会在开窗口的二氧化硅层处理层上淀积铝膜,这就是所谓的金属化。半导体器件失效的机理从物理、化学的角度进行分析,主要包括一膜层张力、二内聚力、三机械疲劳、四退火效应、五杂质效、六电迁移几种因素。
1.2晶体的缺陷与半导体器件失效
由于晶体缺陷而导致的器件失效的机理相当复杂,到目前还有些问题解释不清楚,晶体缺陷分为晶体材料固有缺陷和二次缺陷两类。二次缺陷是在半导体器件在制造过程中,由于氧化过程或者热处理过程中出现的器件缺陷。
1.2.1位错
造成晶体缺陷主要是指晶体形成过程中造成的位错,还有的原因是半导体晶体器件在工艺中造成的位错。……
登录APP查看全文
