CuInS2量子点的制备及应用进展
2015-06-27李海波吉林师范大学功能材料物理与化学教育部重点实验室长春130012
山东工业技术 2015年9期
关键词:应用
张研,华杰,李海波(吉林师范大学,功能材料物理与化学教育部重点实验室,长春130012)
CuInS2量子点的制备及应用进展
张研,华杰,李海波
(吉林师范大学,功能材料物理与化学教育部重点实验室,长春130012)
摘要:综述目前CuInS2量子点的制备方法及在发光器件、太阳能电池和生物荧光标识等领域的应用现状。并对其发展的前景与潜力进行了展望。关键词:核壳;制备;应用
0引言
CuInS2纳米晶是直接带隙三元半导体材料,禁带宽度为1.50eV、吸收系数为105cm-1;与当前的主流的半导体荧光纳米材料CdSe相比,CuInS2量子点既不含A类元素(Cd、Pb、Hg等),又不含B类元素(Se、As、P等),不会对环境和生物体造成负担,而且光谱可以覆盖更广泛的波段--近红外区,在生物医学[1],太阳能电池[2]、光电器件[3]等领域都有着广泛的应用前景。
1CuInS2/ZnS核壳量子点的制备方法
目前合成CuInS2半导体量子点的方法主要有溶剂热合成法、热注入法及共前驱体热分解法等。
1.1溶剂热合成法
溶剂热合成法依据水热法发展起来的合成方法,是指在一定温度(100-1000ºC),一定压强(1MPa-1GPa)下,利用在溶剂中物质的化学反应进行合成的方法。2010年,yue[4]研究组利用此方法合成了闪锌矿结构的CuInS2量子点其半径为2-4nm。但目前还没有有效的手段能很好的控制粒子的成核与生长,粒子还不具备荧光性质,并且反应一般在高温高压下进行,反应周期比较长,限制了此法的发展。
1.2有机相热注入法
有机相热注入法是最常用的一种合成胶体量子点的化学方法,其为目前最有效的合成高质量纳米粒子的方法。……
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