近年来，迅速发展起来的以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）和氧化锌（ZnO）等（还包括金刚石、氮化铝）为代表的第3代半导体材料成为固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、新能源汽车、消费类电子等领域具有广阔的应用前景，可望成为支撑军事和民用产业发展的重点新材料，正在成為全球半导体产业新的战略高地。

着眼全球，欧美、日、韩等发达国家正在积极布局、出台规划，意图抢占这一战略制高点。而放眼国内，我国经过10多年的发展，以氮化物LED发光芯片为核心的半导体照明已经在关键技术上取得长足进展，成为第3代半导体材料产业化的第一个成功突破口，带动了第3代半导体材料的光电子器件方面更广泛深入的研究，并进一步推动第3代半导体在电力电子器件、射频功率器件方面的研究及产业化突破。

此外，国家在第3代半导体材料及器件的基础性研发和产业化方面积极布局，给予大力支持。9月9日，在国家科学技术部、工业和信息化部、北京市科学技术委员会的支持下，第3代半导体产业技术创新战略联盟宣告成立，旨在构建产业创新链，形成全国合力，抢占在国际第3代半导体上抢占产业发展制高点。

经过多年发展，我国电子工业持续高速增长，带动电子元器件产业强劲发展。随着4G、移动支付、汽车电子、物联网等领域的发展，集成电路产业进入快速发展期。我国在军用相控阵雷达、军民两用微波功率器件在以碳化硅、氮化镓为主的第3代半导体材料发展的引领下更是进入发展的快车道，将逐步缩小同科技发达国家的差距。

尽管发展任重道远，但在不远的未来，我国有望使第3代半导体成为抢占国际产业发展制高点的新利器，以此争夺话语权，重构全球半导体产业新格局。