Michael Shur Rensselaer Polytechnic

Institute, USA

Sergey Rumyantsev Rensselaer Polytechnic

Institute, USA

Michael Levinshtein Loffe Institute of the

Russian Academy of Sciences, Russia

SiC Materials and Devices

Vol.2

2007, 131pp.

Hardcover

ISBN 978-981-270-383-5

M.舒尔等编

对碳化硅的研究从1907年就开始了，当时H.J.Round通过在一个金属针和碳化硅晶体之间加上偏压示范了黄色与兰色的辐射光。1932年俄国科学家Oley Losev发现了出自碳化硅的两种类型的光辐射，现在我们称之为预击穿光线和场致发光辐射。人们在半个世纪以前已经认识到了在半导体电子学中使用碳化硅的潜力。它最值得注意的性质是(1)宽能带间隔，对于不同的多形体为3至3.3eV；(2)非常大的雪崩击穿电场2.5~5MV/cm)；(3)强热传导(3~4.9W/cmK)；(4)最大工作温度高(高达1000℃)；(5)化学惰性和辐射硬度。但是其中的某些潜在的优点也会在使碳化硅达到器件质量的过程中引起预期中的技术困难。从基础研究到商业化，人们经历了几十年的努力，直到上个世纪90年代才获得了突破性的进展。第一批商业化的碳化硅器件—功率开关肖特基二极管和高温金属半导体场效应晶体管(MESFET)现在已出现在市场上。本书的撰稿人都是公认的碳化硅技术、材料和器件研究的带头人，他们提供了对该技术当前工艺水平完整及最新的评述。

本书由4章组成，1.碳化硅基片的生长。本章是由CREE公司的科学家撰写的，该公司是碳化硅技术的开拓者、创新者以及研究和市场的引领者；2.碳化硅中的深层缺陷。作者是来自著名的俄罗斯科学院下属的A.F.lotte研究所的Lebeder博士，本章涉及了不同的碳化硅多形体的深层缺陷；3.碳化硅面结型场效应晶体管。深层缺陷限定了大块碳化硅的性质，并在许多方面限定了碳化硅器件的性能和可靠性。Stephani和Friedrichs博士对有关SiC JFET的最新工作作了述评。SiC JFET展现了与沟道中大量电子迁移率及高温性能相关的优点；4.碳化硅双极面结型晶体管。本章由Rensselaer理工学院的T.P.Chow和CREE公司A.K.Agarwal撰写的，它回顾了复杂的器件物理，是由许多对这些器件有趣而又有争论的问题引起的。

本书是世界科技出版社出版的《电子学与系统中精选课题》丛书的第43卷。对于从事碳化硅或者其它宽能带间隙材料和器件的工艺师、科学家、工程师及研究生而言，本书是非常有用的。它同时也可以作为有关碳化硅和宽能带半导体技术研究生课程的补充教课书。

胡光华，高级软件工程师

(原中国科学院物理学研究所)

Hu Guanghua, Senior Software Engineer

(Former Institute of Physics,the Chinese Academy of Sciences)