杜鸣心，石立华，周颖慧，富志凯

（解放军理工大学 电磁环境效应与电光工程国家级重点实验室, 南京 210007）

TVS二极管HEMP响应特性统计分析

杜鸣心，石立华，周颖慧，富志凯

（解放军理工大学 电磁环境效应与电光工程国家级重点实验室, 南京 210007）

针对瞬态电压抑制（TVS）二极管对高空核爆炸产生的电磁脉冲(HEMP)的防护问题，研究了不同类型脉冲传导注入至被 测电路，分别测得了限幅电压、损伤阈值电压、损毁阈值电压和损毁阈值电流，计算出了不同类型脉冲作用下损伤概率和损毁概率。结果表明被测电路受到了注入脉冲次数累积效应的影响，脉冲次数越多，其阈值电压和阈值电流会越低。研究结果为微电子设备的电磁脉冲防护及HEMP防护中的器件选择提供了参考。

TVS二极管；HEMP；累积效应；损伤概率；损毁概率

引言

微电子器件在现代电子设备中的应用越来越广泛，其性能下降乃至损毁将对整个设备产生灾难性的影响。高空核爆炸产生的电磁脉冲（HEMP），上升前沿时间约为2.3 ns，峰值场强可达 50 kV/ m，会通过天线、各种金属线缆、孔洞缝隙等途径，在系统中耦合出幅度非常高的传导干扰环境，损伤甚至烧毁电子元器件[1]。因此，研究HEMP对微电子设备的效应，对保障各种军用或民用的电子信息系统的安全运行都具有非常重要的意义。国内外很多学者对微电子设备HEMP效应进行了研究，对SPD的LEMP和HEMP响应特性也进行过测试[7～8]。但他们只是进行单次实验，没有对EMP累积效应进行研究。本文基……