张静宇，王 宇，楼大年

(空间电子信息技术研究院，西安710100)

1 引言

自适应波束形成技术可抑制副瓣干扰，关于这方面的研究已经有大量的文献[1－3]发表。然而，在现代的环境下，干扰很可能从主瓣进入，当存在主瓣干扰时，常规的自适应波束形成技术便暴露出两个严重的问题:一是主瓣严重变形，出现主瓣指向偏移，主瓣电平降低;二是旁瓣电平升高，这都严重制约了自适应波束形成在主瓣干扰条件下的应用[4]。

一般的线性约束广义旁瓣相消器中的阻塞矩阵只进行期望信号的阻塞，然后利用上下支路干扰信号的相关性通过维纳滤波对干扰进行抑制，因而可以有效地抑制旁瓣干扰，但当存在主瓣干扰时，此方法的性能通常不理想，会在干扰方向形成零点，对干扰进行抑制的同时也会影响接收有用信号。文献[5]中提出了一种利用阻塞矩阵对消主瓣干扰的方法，使用的是直接式的方法，但在信号方向有偏差的情况下对性能影响很大。

本文给出了一种基于线性约束广义旁瓣相消器的改进方法来实现对于主瓣干扰的有效抑制，与文献[5]所不同的是，本文利用了GSC框架，相比于直接式的方法，通过引入线性约束，充分发挥了GSC框架的性能优势。此方法是在线性约束广义旁瓣相消器结构之前利用阻塞矩阵对接收信号矢量进行数据预处理，预先抑制掉主瓣干扰，然后再通过线性约束广义旁瓣相消器进行数字波束形成，这样求出的自适应权矢量不需要在主瓣干扰方向形成零陷，因而不会出现主瓣变形等问题，同时还可以保持对旁瓣干扰的有效抑制。……