马洪江，刘昕阳

（中国电子科技集团公司第四十七研究所，沈阳110032）

NiCr势垒腐蚀工艺技术

马洪江，刘昕阳

（中国电子科技集团公司第四十七研究所，沈阳110032）

传统的以NiCr为势垒层的肖特基产品在势垒合金完成后使用王水（硝酸：盐酸＝1：3）去除多余的NiCr，但此方法过程不易控制，形成的势垒区也不十分平坦，而使用硝酸铈铵溶液去除NiCr不仅过程容易控制，且成品率高。通过对两种方法去除NiCr的对比，找到了更合适的肖特基产品的NiCr势垒层腐蚀方法。

硝酸铈铵；王水；NiCr

1 引 言

肖特基二极管（SBD）是利用金属与半导体之间接触势垒进行工作的一种多数载流子器件［1］，它具有正向导通电压低，响应速度快等优良特性。而肖特基二极管的势垒区形成往往采用中势垒的金属Ni作为金属材料，配合独特的合金工艺方法，可以形成电阻率很低、化学性质稳定、物相均匀的Ni硅化物。而在金属与半导体之间合金后，需要对剩余的NiCr进行去除，从而留下已经与硅形成硅化物的势垒层。剩余NiCr去除的好坏对以后产品的成品率有很大影响。传统的NiCr去除方法使用的是王水（硝酸：盐酸＝1：3），因王水具有很大的腐蚀性且挥发性很大，保存期限短（一般几个小时），只能现用现配，工艺很难控制。文章对王水及硝酸铈铵腐蚀NiCr进行了对比实验，找到了更适合肖特基产品NiCr势垒的腐蚀方法。

2 基本原理

由于纯Ni具有磁性，若仅使用纯Ni作为靶材，则磁控溅射台会出现磁断路、功率加不上、溅射效率低等现象，实际工作中使用了含20%Cr和80%Ni且纯度大于99.995%的靶材。……