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窄通道内的汽泡核化以及滑移汽泡的影响

2014-08-07李少丹谭思超高璞珍

原子能科学技术 2014年5期
关键词:生长实验

李少丹,谭思超,高璞珍,许 超,高 风

(哈尔滨工程大学 核安全与仿真技术国防重点学科实验室,黑龙江 哈尔滨 150001)

汽泡的核化是沸腾汽泡产生的根源,在持续热量输入的情况下,液体的温度会不断上升并超过饱和温度,随后发生相变而产生汽泡。汽泡核化密度及汽泡核化频率的确定对沸腾换热研究有重要意义,决定了通过相变所交换的热量以及ONB点(沸腾起始点)的位置。汽泡的核化也是两流体模型中界面参数中源项的重要组成部分,对界面输运方程的求解起着至关重要的作用[1]。

为确定加热表面上的核化点密度及其分布情况,众多研究者对此展开了大量研究[2-5]。确定核化点密度的研究方法主要有两种:一种是首先确定影响核化点密度的主要因素,随后结合这些影响因素总结出核化密度的经验关系式;第二种则是结合汽泡核化机理进行的,认为汽泡在壁面上的核化主要由有效核化点决定,通过确定有效核化点的范围以及壁面的微观结构便可求出核化密度的大小。窄通道过冷流动沸腾与池式沸腾汽泡核化有所不同,潘良明等[6]和李佳等[7]分析了窄通道内质量流速和热流密度对汽泡核化的影响,发现在相同热流密度条件下,质量流速对核化密度几乎无影响,核化密度随流道尺寸的减小而增大。

然而到目前为止,窄通道内的核化机理及其影响因素尚未完全确定。为了深入研究窄通道内的沸腾行为,本文拟通过实验观察不同压力下过冷沸腾窄通道内核化点的分布情况,并对产生这种分布的主要原因进行分析,以确定汽泡滑移对汽泡核化点分布的影响。……

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