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高压发光二极管的研制及产业化应用

2013-08-24郑建森

科技传播 2013年4期
关键词:晶片沟槽

郑建森

厦门市三安光电科技有限公司,福建厦门 361009

0 引言

发光二极管是利用半导体的P-N 结电致发光原理制成的半导体发光器件,具有无污染、亮度高、功耗小、寿命长、工作电压低、易小型化等优点。随着研究不断深入,其发光亮度也不断提高,应用领域也越来越广[1]。近年来,随着 LED 在材料选取、晶粒制程、封装架构设计技术等方面的研究不断进步,新型的高压发光二极管(HV-LED)技术应运而生,有利推动了 LED 照明技术的实用化[2]。

目前,Cree 仍是照明LED 技术领导者,并已推出160lm/W 产品,但价格相对偏高。欧司朗、日亚、晶电、璨圆也先后推出发光效率分别达136lm/W 、133lm/W、110lm/W 和100lm/W 的高压HV-LED 芯片。此外,武汉迪源也研发出高压芯片,并实现量产。

1 新型HV-LED 与传统DC-LED 的特点对比

传统DC-LED 芯片是在大电流低电压下工作,为提升使用电压,一般在封装端采用多颗芯片串并联,而新型HV-LED直接在芯片端便实现了晶粒间的串并联,使其在低电流高电压下工作,大大减少了芯片固晶、键合数量,封装成本降低。

HV-LED 芯片是在单位面积内形成多颗微晶粒集成,而COB 是采用若干个HV-LED 芯片集成,避免各芯片间同波段内如波长、电压、亮度跨度带来的一致性问题; HV-LED 芯片自身工作电压高,易通过串并联实现封装成品工作电压接近市电,提高驱动电源的转换效率;由于工作电流低,线路损耗也将明显低于传统的 DC 功率LED 芯片。

2 HV-LED 的工艺技术关键点

集成式HV-LED 与传统DC-LED 的制作工艺比较相似,区别是需外加三步关键工艺,其中每步工艺都对器件的光电特性、良品率等有重要影响。……

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