张 显，朱耀寰，王海丰

(西安电子科技大学技术物理学院，西安710071)

从上世纪六十年代开始，厚膜混合集成电路与半导体集成电路相互补充、相互渗透成为集成电路的一个重要组成部分，广泛应用于电控设备系统中。厚膜混合集成电路简称厚膜电路或厚膜混合电路，即通过丝网印刷和烧结等工艺在基片上制作互连导线、电阻、电感等满足一定功能要求的电路单元。由于体积小、功率大、性能可靠、设计灵活、成本低和性价比高等优点在混合电路产业中占80%的市场份额［1］。

钌基厚膜电阻具有精度高、稳定性好、耐高温、工艺重复性好等特点［2］。影响厚膜电阻的因素有很多，其中烧结工艺起着重要作用［3］，它主要分:烧结温度、保温时间、升温速率以及气氛控制。本文着重讨论烧结温度对厚膜电阻器阻值和HTCR的影响，并分析了厚膜电阻的微观结构及其性能。

1 实验方法

本次实验采用西安宏星浆料有限公司生产的R-2200系列电阻浆料(功能相的主要成分是RuO2、Bi2Ru2O7和 Pb2Ru2O6)和 Ag-Pt导体浆料，实验基片采用96%氧化铝基片。使用丝网印刷机通过手动印刷的方式在基片上印制方阻两边长的比例为1∶1.25的电阻。丝网印刷采用不锈钢丝网，数目为325目。先用该设备在基片上印制导体，经烘干烧结后，再印制电阻，印好后在室温放置15 min，以便浆料充分流平，置于125℃的烘箱中保温12 min用箱式电阻炉按不同的烧结工艺烧结。

实验采用比较分析的方法，先按照工艺I(根据生产商提供的烧结曲线改编)在750℃、800℃、825℃、850℃、875℃、900℃和950℃的不同峰值温度下烧结，然后进行重烧实验，确定最佳烧结温度。……