楚合营 刘朝霞 罗华平 张景川 胡芸莎

(塔里木大学机械电气化工程学院，新疆阿拉尔 843300)

Ⅱ－Ⅵ族半导体材料由于具有独特的物理和化学性质，一直深受研究人员的关注［1－5］。例如ZnO、ZnS、CdS、CdSe等都是直接带隙半导体，其能隙覆盖了整个可见光范围，因而是一类具有广泛应用前景的光敏材料。随Ⅱ－Ⅵ族半导体量子点实验研究的不断深入，Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的理论研究也越来越受到科学家的重视，特别是对Ⅱ－Ⅵ族半导体团簇的理论研究［5－14］。与有机发光材料相比，CdS这种无机量子点不仅具有丰富的颜色，而且能够承受多次的激发和光发射而不会分解，因此CdS这种无机量子点可以作为示踪粒子或分子标签在生物化学、分子生物学、细胞生物学、基因组学、蛋白质组学、药物筛选和生物大分子相互作用等研究中扮演重要角色。对CdnSn半导体团簇进行研究，有助于人们对CdS量子点光学以及电子性质的研究。但是，由于团簇的电子性质对团簇的结构比较敏感，同时随着原子个数的增加，团簇的初始结构成指数增长，计算工作量也越来越大，因此给较大CdnSn半导体团簇的理论研究带来了极大的挑战。根据文献报道，相对其它Ⅱ－Ⅵ族半导体团簇而言，对CdnSn半导体团簇的研究文献报道还比较少。因此，进一步开展对CdnSn半导体团簇的研究对于认识CdS量子点以及CdnSn半导体团簇的生长方式和电子性质都是十分必要的。利用Dmol3模拟软件包对CdnSn(1≤n≤12)团簇的几何构型进行优化，并对其能量、频率以及电子性质进行了模拟分析。……