徐 静，陈玉蓉，洪根深

（中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035）

1 引言

SOI技术因为其硅膜和衬底之间由绝缘二氧化硅完全隔离，所以SOI器件相对于体硅器件收集单粒子产生的电子空穴对的体积减小，从而漏极收集电荷相对体硅明显减小。因而SOI技术一直以来被用于集成电路的单粒子加固[1]。

目前抗辐射SRAM的研制通常是“设计-制造-实验”的反复过程，代价非常昂贵，而且周期很长。本文采用silvaco软件对不同沟道宽度的0.8µm SOI BTSNMOS器件进行了三维SEU仿真，然后将仿真得到的漏端电流代入HSPICE进行SRAM六管单元进行仿真，建立了一种快速评估SRAM单元抗单粒子翻转能力的方法。

2 三维NMOS 器件SEU仿真

首先，应用silvaco软件里的devedit3d功能，建立了不同沟道宽度的0.8µm SOI BTSNMOS器件结构模型，这个模型的各项工艺参数是基于中国电科58所标准0.8µm SOI工艺平台建立的。器件结构采用BTS结构，源和体短接在一起，栅氧厚度Tox=17.5nm，顶层硅膜厚度Tsi=160nm，埋氧厚度Box=375nm。建成的两个模型结构宽长比（W/L）分别为4.8/0.8和2.8/0.8。

器件模型建立后，采用Atlas进行了器件模拟，模拟时器件的电压偏置条件是栅上电压VG接0V，漏上电压接5V，源和衬底都接地，如图1所示，入射粒子方向垂直于器件表面[2,3]，入射点为远离体接触的漏体节敏感节点。在模拟中采用以下物理模型：SRH模型、AUGER模型、CVT模型、BGN模型。在模拟单粒子效应时，采用silvaco的singleeventupset模块，单粒子效应产生的电子-空穴的时间分布为高斯分布：，分布特征值T0=50ps， TC=400ps，半径特征尺寸radius为0.6。

3 SOI SRAM单元的单粒子翻转模拟

SRAM单元采用典型的六管单元，其中节点1的初始电位为5V，节点2的初始电位为0V。……