孙江燕，倪明智，于仙仙，李明,

（1.上海新阳半导体材料股份有限公司，上海 201616；2.上海交通大学，上海 200240）

【电子电镀】

防铜变色剂处理对引线框架与封装树脂结合力的影响

孙江燕1，倪明智2，于仙仙1，李明2,*

（1.上海新阳半导体材料股份有限公司，上海 201616；2.上海交通大学，上海 200240）

研究了C194铜合金引线框架表面氧化状态对封装树脂结合强度的影响。铜合金引线框架与树脂的结合强度随氧化膜厚度的增加而先增加后减小，并在厚度为 100 nm时达到最大值15.3 MPa，比氧化前提高了2.6 MPa。其原因在于氧化膜能够提高与封装树脂之间的润湿性，而氧化膜较厚时，断裂更易发生在疏松的氧化膜中，从而降低了结合强度。防铜变色剂处理可以通过有效减缓氧化膜生长来控制其结合强度。

集成电路；引线框架；封装树脂；结合强度；防铜变色剂处理

1 前言

随着集成电路向高密度、高性能的方向发展，各行各业对电子封装材料提出的要求也日益提高，当代电子封装产品必须做到精密性与可靠性兼备。铜合金由于具有优良的导电、导热性能，目前已经成为最主要的引线框架材料[1-2]。而铜电沉积技术由于其经济性、选择性及优良的深镀能力，在微电子工业中得到广泛应用，特别是在超大规模集成电路铜互连技术中的应用正日益受到关注。

然而铜合金具有很高的亲氧性，在工作环境中不可避免要发生氧化。铜的氧化物 Cu2O和 CuO不像Al2O3那样具有自保护性，会使铜进一步氧化。在放置、封装加热等过程中，铜合金表面极易形成氧化膜，氧化膜过厚会降低引线框架与封装树脂之间的结合强度，从而导致封装体发生分层、开裂现象[3-4]。……