向 东 何磊明 瞿德刚，2 牟 鹏 段广洪

1.清华大学，北京，100084 2.后勤工程学院，重庆，400016

0 引言

在集成电路制造过程中，光刻是最复杂、最昂贵和关键的工艺。现在的光刻成本占了芯片总制造成本的三分之一，耗费的时间约占整个硅片生产时间的40%～60%[1]。对于光刻工艺来说，硅片上光致抗蚀剂(俗称光刻胶)的厚度和均匀性是非常关键的质量参数，它直接影响到后续光刻工艺的质量，从而影响集成电路的性能、成品率及可靠性等。一般来说，光致抗蚀剂薄膜的厚度从几百纳米到几十微米不等，而且它的均匀性必须达到±1%的水平[2]。微米级、均匀光刻胶的涂敷对涂胶工艺提出了非常高的要求。

目前大多数光刻胶涂胶工艺普遍采用的是旋转式涂胶方法，即甩胶法。近年来，随着微机电系统(micro electro mechanical systems，MEMS)、微光机电系统(micro optical electro mechanical system，MOEMS)等技术的发展，甩胶工艺遇到越来越多的挑战，雾化喷涂法和电沉积法等新的涂胶工艺方法开始出现。本文对涂胶工艺的国内外研究动态进行了介绍。

1 旋涂法

旋转涂胶就是将一定量的光致抗蚀剂溶液滴在基片上形成初始薄膜，然后基片加速旋转到预定速度，在离心力的作用下光致抗蚀剂溶液沿径向外流，液体薄膜厚度不断下降，最终在基片表面形成均匀薄膜。如图1所示，整个旋转涂胶过程可分成4个基本步骤[3-6]：①滴胶。滴胶工艺分为静止滴胶和动态滴胶，即当硅片静止或旋转速度非常缓慢时，将光致抗蚀剂溶液滴在硅片上。②旋转铺开。硅片加速旋转到一定的转速，使光致抗蚀剂溶液铺展到整个表面。……