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染料敏化太阳电池CuAl2O4/TiO2光阳极制备及性能

2012-11-02胡志强刘显卿黄德锋

材料工程 2012年2期
关键词:敏化载流子太阳电池

胡志强,刘显卿,黄德锋,高 宏

(1大连工业大学 化工与材料学院,辽宁 大连116034;2大连交通大学,辽宁 大连116028)

染料敏化太阳电池CuAl2O4/TiO2光阳极制备及性能

胡志强1,2,刘显卿1,黄德锋1,高 宏2

(1大连工业大学 化工与材料学院,辽宁 大连116034;2大连交通大学,辽宁 大连116028)

采用柠檬酸法制备了尖晶石型纳米晶CuAl2O4,将其添加到P25(degussa,TiO2)中,制备成CuAl2O4/TiO2薄膜光阳极,并组装成染料敏化太阳电池(DSSC),对其光电性能进行表征。结果表明:CuAl2O4的加入,电池性能得到提高;当CuAl2O4含量为2%(质量分数)时,与纯TiO2薄膜光阳极相比,光电转化效率提高了39.1%。

CuAl2O4;光阳极;DSSC

20世纪90年代,Gratze等[1]提出的染料敏化纳米晶二氧化钛太阳电池,以其原料低廉和制备简单等优点,受到广泛的关注。目前所报道的染料敏化太阳电池光电转换效率已达到了11.1%[2]。但是制作DSSC光阳极的TiO2存在禁带宽度较宽(3.2eV),不能吸收可见光区的能量,受激发产生的光电子和空穴易复合等缺陷,限制了DSSC的光电性能[3]。

尖晶石型CuAl2O4化合物具有较窄的带隙,且结构稳定,耐光腐蚀及优异的光催化性能等而受到广泛关注[4-6]。本研究制备了 CuAl2O4/TiO2薄膜光阳极,并组装成染料敏化太阳电池;探讨了掺合量对染料敏化太阳电池开路电压(Voc)和电流密度(Isc)之间的影响;分析CuAl2O4/TiO2薄膜光阳极作用。目的是拓展TiO2纳米粉体光谱响应范围,提高染料敏化纳米晶TiO2太阳电池的光电性能。

1 实验

1.1 实验药品及设备

主要药品:P25,TiO2,degussa;硝酸铜,分析纯;硝酸铝,分析纯;柠檬酸,分析纯。

实验设备:XRD(日本理学D/max-3B型),分析粉体的物相;UV-vis(美国 PerkinElmerLambda35),测定粉体在紫外-可见光范围内的吸收光谱;场发射扫描电子显微镜(日本JEOL公司,JSM-6700F),分析样品表面形貌;太阳光模拟器(美国SS50A(AM1.5,100mW/cm2)型 ),Keithley 数 字 源 表 (美 国Keithley2400),测试电池的电流-电压特性。

1.2 CuAl2O4纳米粉体制备

将一定量的硝酸铜、硝酸铝和柠檬酸按1∶2∶3摩尔比例加入到一定量的去离子水中,磁力搅拌使其完全溶解,用氨水调节其pH值2.5~3.0,继续搅拌30min;80℃水浴中加热至凝胶状,置于150℃干燥箱中至紫罗兰色干凝胶,然后在800℃下煅烧2h得到尖晶石型CuAl2O4。

1.3 CuAl2O4/TiO2薄膜光阳极的制备及电池的组装

将制备好的CuAl2O4以质量比为0%,1%,2%,3%掺合到P25中,分别标记为样品a,b,c,d。然后加入一定量的OP乳化剂、冰乙酸、乙醇制备成CuAl2O4/TiO2浆料,室温静止15min后,用丝网印刷法在FTO(掺杂氟的SnO2导电玻璃)玻璃上制备CuAl2O4/TiO2薄膜。干燥后置于马弗炉中,以10℃/min升温至500℃保温30min,自然冷却到室温,浸入到N719染料中10h得到CuAl2O4/TiO2薄膜光阳极。最后以KI/I2为电解质,铂电极为对电极,组装成电池。

2 实验结果与分析

2.1 X射线衍射分析

图1是纳米TiO2粉体、500℃热处理30min的掺合CuAl2O4的TiO2粉体和制备的CuAl2O4纳米粉体的XRD图谱。

图1 TiO2 粉体、CuAl2O4/TiO2 粉体和CuAl2O4粉体的X射线衍射图Fig.1 XRD patterns of the TiO2powders,CuAl2O4 powders and CuAl2O4/TiO2composite powders

从图1中可以看出800℃下制备的样品出现了CuAl2O4的特征衍射峰,与CuAl2O4的标准PDF(33-0448)卡片的衍射峰相一致,说明制备的样品具有CuAl2O4尖晶石型结构。根据Scherrer[7]公式计算出晶粒的平均尺寸为30.32nm,与P25大小相匹配。另外,由于实验选用掺合浓度较小(0~3%),因此掺合的CuAl2O4并未改变TiO2的特征衍射峰峰位,XRD图中也未发现CuAl2O4的特征峰。

2.2 紫外-可见光谱分析

图2 CuAl2O4粉体的紫外-可见光谱图Fig.2 UV-Vis spectrum of the CuAl2O4powders

图2为CuAl2O4粉体的紫外-可见吸收光谱。从图2可以看出,CuAl2O4粉体的吸收遍及紫外区和整个可见区;除在紫外区有较高的吸收外,在可见光区390~780nm范围内也有较好的吸收。对于直接跃迁型半导体,其吸收边附近的吸收系数满足关系式(1):

其中,A为吸光度,h为普朗克常数,ν为入射光子的频率,Eg为禁带宽度,C是一个与折射率、直接跃迁的矩阵元等有关的常数;取C=1,以(A×hν)2为纵坐标,hν为横坐标,得到(A×hν)2与hν的关系曲线(见图3);将曲线中直线部分外延至(A×hν)2=0与x轴的交点即为禁带宽度原字符串。由图3可得到CuAl2O4的禁带宽度约为1.9eV;说明CuAl2O4是窄禁带化合物。掺合到P25中,对拓展TiO2的光响应范围将产生积极的影响。

图3 (A×hν)2-(hν)的关系图Fig.3 Curve as(A×hν)2vs(hν)

图4是不同掺合量的紫外-可见吸收光谱曲线。从图中可以看出:与纯TiO2相比,在可见光区内CuAl2O4/TiO2的吸光度明显提高,而且随着掺合量的增加,吸光度也不断增加;这可能是掺合后,CuAl2O4的引入,吸收增强,拓展了TiO2的光谱响应范围,吸收边发生红移,CuAl2O4/TiO2的禁带宽度减小(见图3)。另外,掺合后的TiO2在近红外区表现出较好的吸收率,这可能是掺合后的TiO2半导体中自由载流子增多,自由载流子以及与杂质(CuAl2O4)相联系的电子跃迁及晶格振动可引起吸收,其吸收通常在红外光谱区,随着掺合量的增加,这种现象越加明显。

当掺合量为3%时,吸收反而降低(见图4)。这可能是因为,随着掺合量的增加,半导体的准费米能级增高,当其进入导带,本征光吸收边就会向短波方向移动(见图3),这就是Burstein-Moss[10]效应;在载流子浓度较高的情形下,费米能级Ef将进入导带内,这将对吸收边产生影响。对于N型半导体,当Ef进入导带后,Ef以下的状态将被电子占满。价带电子只能向Ef以上的导带电子态跃迁,因此,随着掺合量的提高,吸收阈值将向高能方向移动,吸收降低。

图4 不同掺合量的紫外-可见吸收光谱图Fig.4 UV-Vis spectra of the different addition

2.3 表面形貌分析

图5是印刷法制备TiO2薄膜电极和CuAl2O4/TiO2复合薄膜的扫描电镜图。由图5可以看出,薄膜中颗粒均匀分布,没有明显的团聚。进一步观察看到,TiO2薄膜表面起伏不平,颗粒之间结构松散,而CuAl2O4/TiO2复合薄膜表面相对均匀平整,颗粒排列紧密有序。其原因可能是由于CuAl2O4的引入,改善了印刷浆料,提高了浆体的可塑性和稳定性,有利于丝网与薄膜的提拉分离,从而改善薄膜的形貌结构。

图5 TiO2 薄膜和CuAl2O4/TiO2 薄膜的SEM 图 (a)0%CuAl2O4;(b)1%CuAl2O4;(c)2%CuAl2O4;(d)3%CuAl2O4Fig.5 The SEM images of TiO2thin film and CuAl2O4/TiO2thin film (a)0%CuAl2O4;(b)1%CuAl2O4;(c)2%CuAl2O4;(d)3%CuAl2O4

2.4 光电性能分析

图6是TiO2薄膜光阳极和CuAl2O4/TiO2薄膜光阳极的伏安特性曲线,表1是TiO2薄膜光阳极电池和CuAl2O4/TiO2薄膜光阳极电池的性能参数。

由图6和表1中可以看出,随着CuAl2O4掺合量的增加,电池的开路电压明显增加,当掺合量为2%时,电池的开路电压达到 0.77V,接近理论值[11](0.7~0.8V),比纯TiO2薄膜光阳极的开路电压增加10%。开路电压Voc可以定义为:光照下TiO2薄膜中电子准费米能级Ef与电解质氧化还原电对的Nernst电势Eredox之差[12],可由公式(2)表示:

图6 薄膜光阳极的伏安特性曲线Fig.6 I-V characteristics of the thin film photoanodes

表1 电池的性能参数Table 1 Performance parameters of the cell

其中:q为完成一个氧化还原过程所需要的电子数。掺合后开路电压增大可能是由于TiO2是N型半导体;对于N型半导体,掺合量越高半导体中电子的准费米能级越靠近导带,准费米能级增高,由公式(2)可知,开路电压增大。

从图6可以看出,掺合后电池的短路电流密度先增加后减小,原因可能是多方面的:掺合后,吸收边红移,吸收增强(见图4),产生更多的光电子,电池的电流密度增加。

随着掺合量的增加,电流密度有所减小(见图5);可能是因为掺合使TiO2电子浓度和空穴浓度平衡值增加;增加的那部分载流子称为过剩载流子,过剩载流子在数量上对多子和少子的影响明显不同,多数载流子的数量一般很大,过剩载流子通常不会对它的数量产生显著影响。但它对少数载流子数量的影响十分显著,少数载流子(空穴)的浓度一般增加几个数量级[13],导致光生电子和空穴之间的平均距离明显缩短;此时,电子和空穴复合的几率将变大,光生电子不能完全转化为有效电流,电流密度降低。

此外,文献[14]指出,光电子的注入过程将在TiO2/染料/电解质界面引起一瞬时电场。该电场可能是由电子、空穴相反电荷间的库仑吸引引起的,这一光诱导的电场将会促进电子-空穴复合[15],导致电流密度降低。另外,随着掺合量的增加,出现Burstein-Moss[10]效应。吸收阈值将向高能方向移动,吸收边蓝移,电流密度降低。

电池的填充因子(FF)比较低,这可能与电池的封装有一定的关系,与其理论值(0.65~0.75)[11]还有一定的差距,提高电池的填充因子,是未来的主要研究方向之一。

3 结论

(1)通过掺合CuAl2O4制备的CuAl2O4/TiO2薄膜光阳极可提高电池的开路电压和短路电流密度。

(2)当CuAl2O4含量为2%时光电转化效率与纯TiO2薄膜光阳极相比,提高了39.1%,达到3.88%。

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The Preparation and Properties of DSSC CuAl2O4/TiO2Photoanodes

HU Zhi-qiang1,2,LIU Xian-qing1,HUANG De-feng1,GAO Hong2
(1School of Chemical and Material,Dalian Polytechnic University,Dalian 116034,Liaoning,China;2Dalian Jiaotong University,Dalian 116028,Liaoning,China)

CuAl2O4/TiO2thin film photoanodes were prepared by doping spinel CuAl2O4nanocrystalline prepared by the citrate method into P25(degussa,TiO2),and then assembled into Dye-sensitized solar cells(DSSC)and characterized the photoelectric properties.The results showed that performance of DSSC increase when doped CuAl2O4.When the doping amount is 2%(mass fraction),the photoelectric conversion efficiency was 39.1%higher than the pure TiO2thin film photoanodes.

CuAl2O4;photoanodes;DSSC

TB34

A

1001-4381(2012)02-0063-04

国家(863)高技术研究发展计划资助项目(2006AA05Z417);大连市科技平台建设项目 (2010-354)

2011-08-03;

2011-12-21

胡志强(1956—),男,教授,现从事材料化学合成和功能薄膜材料研究工作,联系地址:大连工业大学化工与材料学院(116034),E-mail:hzq@dlpu.edu.cn

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