耿 莉，杨洪星

(中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津 300220)

随着半导体技术的发展，硅抛光片清洗设备由原来的手动设备、半自动设备逐步发展到全自动清洗设备阶段，国际上，全自动清洗设备已经成熟，通常带有一套较为成熟的工艺，这样可缩短设备调试时间，尽快将设备投入到生产当中，但价格昂贵。近年来，国内设备生产厂家加大了全自动清洗设备的研发投入，并取得了较大的进步，相比于进口设备，国产设备价格便宜，但无成熟的工艺与设备相匹配，需要采购厂家进行工艺探索，在工艺调试时间上相应要增长，部分设备被国内硅片生产厂成功运用于硅片生产当中。本单位采购了一台国产硅片全自动清洗机，用于50～150 mm(2～6 英寸)硅单晶抛光片的预清洗。

在设备调试过程中，125 mm 硅抛光片清洗过程中出现边缘“色斑”现象。本文对“色斑”现象进行了分析，通过对清洗液配比、清洗温度以及快排冲洗等进行研究，解决了125 mm 硅抛光片表面的“色斑”现象。

1 试验

（1）样品参数

直径：125 mm；

电阻率：0.001～0.005 Ω·cm；

晶向：<111>偏＜110＞4°±1°；

晶片表面经正常抛光工艺进行抛光。

（2）清洗设备

HL-WA08型硅片全自动清洗机。

（3）工艺流程

上料位→氢氟酸浸泡清洗→溢流清洗→RCA1# 超声清洗→快排清洗→RCA2# 浸泡清洗→快排清洗→下料位→甩干→检验

快排清洗槽的原理图见图1，各装置的开启时间、关闭时间均可独立控制，并且各装置开启、关闭的顺序也可独立控制。

图1 快排清洗槽原理图

（4）试验方案

针对抛光片表面存在“色斑”现象的问题，对RCA1# 超声清洗、快排清洗两个过程进行了正交分析，设计了表1所示的工艺方案。……