陈光红，吴清鑫，于 映，罗仲梓

(1.苏州市职业大学 电子信息工程系，江苏 苏州 215104;2.南京邮电大学 通讯与信息工程学院，江苏 南京 210003;3.厦门大学 萨本栋微机电研究中心，福建 厦门 361005)

射频MEMS开关中金属剥离工艺研究

陈光红1，吴清鑫1，于 映2，罗仲梓3

(1.苏州市职业大学 电子信息工程系，江苏 苏州 215104;2.南京邮电大学 通讯与信息工程学院，江苏 南京 210003;3.厦门大学 萨本栋微机电研究中心，福建 厦门 361005)

研究用BP212正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZP4620正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZ5214E反转光刻胶光刻后的图形剥离金属的难易度及图形质量.用扫描电镜(SEM)观察不同光刻胶及浸泡氯苯后的侧壁图形，并分析不同侧壁图形的形成机理，找出最佳工艺参数，并应用于射频MEMS开关制作中的金属剥离.

BP212;AZP4620;AZ5214E;氯苯浸泡;剥离

Abstract:The lift-off processes of BP212 positive photoresist(and chlorobenzene treatment)and AZP4620 positive photoresist(and chlorobenzene treatment)were studied.AZ5214E image-reversal photoresist was also studied.Side wall graphics were observed using scanning electron microscope(SEM).The forming mechanism of different lateral wall pattern was analysed.The optimum process parameters were found and used in metal lift-off in RF MEMS switches.

Key words:BP212;AZP4620;AZ5214E;chlorobenzene treatment;lift-off

射频MEMS开关的制作中要求电阻小、高频损耗小，而Au的电阻率低、稳定性好，所以电极、波导和触点都由金构成，且波导需由2 μm的厚金构成，为减小由于反射或折射造成的损耗，要求波导缝隙边缘整齐陡直.

由于金需要用王水腐蚀，腐蚀速度较难控制，用常规的光刻、腐蚀方法很难形成满意的图形，所以实验中选用剥离的方法制作金电极、波导和触点.

剥离工艺是在基片表面涂上一层光刻胶，经过前烘、曝光、显影形成掩膜图形，要求在不需要金属膜的区域覆有光刻胶［1］，用镀膜的方法在其表面覆盖一层金属，这样金属膜只在需要的区域与衬底相接触，最后浸泡剥离液，若允许可加少许超声将光刻胶除去，随……