徐 静，陈正才，洪根深

（中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035）

PD SOI BTSNMOS器件的三维SEU仿真

徐 静，陈正才，洪根深

（中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035）

采用silvaco软件对抗辐射PD SOI BTSNMOS器件进行了三维SEU仿真。器件建模采用devedit软件，工艺参考标准0.8µm PD SOI工艺平台。器件基于SIMOX SOI材料，其埋氧层厚度为375nm，顶层硅膜厚度为205nm。三维SEU仿真的入射粒子轨迹垂直于器件表面，主要选取了垂直于沟道方向（DS）和平行于沟道方向（PDS）。对比了不同入射粒子轨迹下器件关断状态下漏端电流随粒子入射时间的变化，确定了器件的敏感区域在漏体PN结处，并且越远离体接触的地方，对SEU效应越敏感。

SOI；SEU；三维仿真

1 引言

SOI技术因为其硅膜和衬底之间由绝缘二氧化硅完全隔离，所以SOI器件相对于体硅器件收集单粒子产生的电子空穴对的体积减小，从而漏极收集电荷相对体硅明显减小，因而SOI技术一直以来被用于集成电路的单粒子加固[1]。然而，由于PD SOI器件中固有的寄生双极管的存在，可能会使得它在抗SEU方面的优势减小[2]。

单粒子实验由于其需要高速加能器的支持，实验的成本和难度都很大，因此，对器件进行模拟仿真成为单粒子效应的一个重要研究手段。3-D模拟由于能实现传统2-D模拟所不能实现的体接触，因此能更全面的反映器件的单粒子效应。

本文采用silvaco软件对0.8µm SOI BTsNMOS器件进行了SEU仿真，对其敏感区域进行了分析。

2 仿真的模型建立

首先，应用silvaco软件里的devedit3d功能，建立了0.8µm SOI BTsNMOS器件结构模型，这个模型的各项工艺参数是基于中电58所标准0.8µm SOI工艺平台建立的。……