郑若成，汤赛楠

（中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035）

天线效应对LPNP管输出曲线的影响

郑若成，汤赛楠

（中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035）

天线结构是监控半导体工艺过程中等离子体损伤的一种典型结构，一般主要用来监控MOS器件栅氧的损伤。文中，该结构用来监控横向PNP（LPNP）管工艺过程中的发射极结损伤。实验发现，带天线结构的LPNP管的输出曲线容易出现翘曲现象，分析认为该异常不是由于发射极结损伤造成的，因为发射极结工艺过程中并没有受到损伤。同时发现该翘曲现象在LPNP管保护环接低电位时会消失，该低电位在很大范围内变化时，输出曲线基本一致，且输出曲线电流较保护环悬空时的电流整体偏大，在集电极电压较大时，输出电流和保护环悬空时的电流一致。

天线结构；输出曲线；翘曲；发射极结；保护环

1 LPNP管天线结构设计目的和评估参数

天线结构版图和剖面结构如图1、图2所示，EC隔离采用多晶，多晶长度决定LPNP管的基区宽度。LPNP管发射极面积AE=1.5μm×3.0μm，发射极和EC隔离多晶短接通过金属引出，再在引出端设计天线结构。由于深亚微米工艺中发射极结结深非常浅，这种天线结构设计的目的主要是考察工艺损伤对发射极结性能的影响。

天线1、4、5、6的目的是考察金属1腐蚀损伤的影响。

天线2的目的是考察金属1腐蚀和通孔腐蚀损伤的影响，由于金属2是平板，因此金属2的天线效应可以忽略。

天线3的目的是同时考察金属1腐蚀、通孔腐蚀和金属2腐蚀损伤影响。……