二茂铁桥联聚倍半硅氧烷修饰电极测定抗坏血酸

2012-08-17高春光山西省大同市天镇县第一中学山西大同03800山西大学化学化工学院山西太原030006

化学与生物工程 2012年11期

关键词：化学

胡印,陈婧,高春光(.山西省大同市天镇县第一中学,山西大同03800;.山西大学化学化工学院,山西太原030006)

二茂铁桥联聚倍半硅氧烷修饰电极测定抗坏血酸

胡印1,陈婧2,高春光2
(1.山西省大同市天镇县第一中学,山西大同038200;2.山西大学化学化工学院,山西太原030006)

以1,1′-双[2-(三乙氧基硅基)乙基]二茂铁单体及正硅酸乙酯为前驱物,经溶胶-凝胶过程制备了二茂铁功能化的聚倍半硅氧烷修饰电极,并将该修饰电极用于抗坏血酸(H2A)的电催化氧化测定。在p H=8.0的0.1 mol· L-1NaClO4-H3PO4缓冲溶液中,氧化峰峰电流和H2A浓度呈良好线性关系,动态线性范围2.0×10-5～1.0×10-3mol ·L-1,相关系数为0.994,检测限为1.3×10-5mol·L-1。

二茂铁;聚倍半硅氧烷;修饰电极;电催化;抗坏血酸

抗坏血酸(Ascorbic acid,H2A)是维持人体健康的重要维生素之一,H2A缺乏将导致坏血病和免疫力低下,其含量高低经常作为某些疾病诊断及营养分析的重要指标,因此,H2A的定量测定在临床、医药和食品等领域具有非常重要的意义[1]。利用电化学分析法测定抗坏血酸具有分析速度快、操作简便易行、成本低、试剂用量少等优点[2]。但由于抗坏血酸的氧化产物会对电极产生污染,且它在裸电极上有较高的过电位,使其测定灵敏度低、重现性差[3～8]。因此,研究新型修饰电极测定H2A意义重大。

在前期研究[9,10]的基础上,作者以合成的二茂铁桥联聚倍半硅氧烷单体(BTEF)和正硅酸乙酯(TEOS)为前驱物,经溶胶-凝胶过程将其修饰在玻碳电极(GCE)表面制备成修饰电极BTEF/TEOS/ GCE,用于对H2A的电催化氧化测定。