氧化铟锡(ITO)透明导电膜的特性及应用研究
2012-08-15张雅娟
科技传播 2012年8期
张雅娟
武汉职业技术学院电信学院,湖北武汉 430074
透明导电薄膜(TCO)可以分为ITO(氧化铟锡)、AZO(氧化锌铝)等,都是氧化物薄膜。其中掺锡氧化铟(即ITO)薄膜是一种重掺杂、高简并n型半导体材料,其禁带宽度接近3Ev,导电率高、可见光透过率高、机械硬度强,而且化学稳定性好。因此,其薄膜材料广泛应用在太阳能电池、显示器、气敏元件以及其他电子仪表的透明电极等方面。
1 ITO的特性
透明导电薄膜(TCO)的相关研究较早,它能把物质的透明性和导电性这一对矛盾结合成一体的特点,引起人们进一步发现,TCO具有可见光范围内高透射率、红外光范围内高反射率等特性,尤其是用氧化锌做基底的TCO薄膜具有成本低,丰富原材料、无毒、无污染、沉积温度低、热稳定性高等优点。应用最广泛的ITO薄膜有着复杂的立方铁锰结构和高电阻率、高透光率。
1.1 ITO的电学性质
铟锡金属氧化物(ITO)无论用何种方法去制备,它的结构都是固定的立方In2O3结构。工艺不同其多晶体结构的主取向也会不一样,略微影响其性能参数。
由于In2O3是一种透光性比较好的材料,因此ITO导电并不依赖于纯净半导体激发,而是由附加能级上的两种载流子——电子、空穴激发。其内部掺锡,且可形成氧空位分布,使得电子或空穴的浓度增加很多倍,从而其电导率与金属导体非常接近。由掺杂反应得到的Sn4+获得一个电子,而这个电子容易脱离原子核束缚,变成自由电子,即成为载流子。同时In2O3中的In3+变成In+,从而ITO薄膜体现出高电导率和高投射率的特点。……
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