蔡积庆 译

（江苏 南京 210018）

1 前言

几年来的电子设备中，随着高性能化，多功能化和小型化等的技术进步，下一代半导体封装基板要求高速信号传输，微细线路和高可靠性。一般的封装基板制造中，使用与绝缘层的功能性树脂一起半加成法工艺（SAP，Semi Additive Process）,采用化学镀铜形成导电性植晶层。为了提高绝缘树脂与化学镀铜层的附着性，采用去沾污工程进行绝缘树脂的表面粗化处理，从而获得由绝缘树脂表面粗化产生的锚固作用。然而低粗度表面中难以获得提高附着性。尤其是半导体封装基板，由于它所要求的性能而采用低粗度绝缘树脂构成，不会依赖于绝缘树脂材料或者表面粗度，而且可以赋予高附着性的化学镀铜工艺必不可少。在这种背景下，ロ-ム•ァンド•ハ-ス电子材料（株）开发了适应市场需要的和适合半加成法的积层绝缘树脂用去沾污和化学镀铜工艺。本文就开发的沾污和化学镀铜工艺加以叙述。

2 开发的背景

下一代半导体封装基板中，根据高速信号传输，微细线路和高可靠性的要求，封装基板制造工程使用的半加成法的化学镀铜工艺要求如图1所示的4种关键技术。为了进行高速信号传输，需要考虑到趋肤效应的低粗度绝缘树脂层/导体层，与这种低粗度树脂表面的高附着性和优良的线路间绝缘性有助于微细线路化。此外小径盲导孔内的优良的化学镀铜层涂复性（抑制表面镀层，提高导通孔内的均镀能力）对于CuSO4电镀时的供电或者电路形成时的闪蚀刻（Flash Etching）非常有效。……