靳丽岩，王宏杰，张 浩，赵雪峰

(1.中国电子科技集团公司第二研究所，山西太原，030024；2.上海大学机电工程与自动化学院，上海200072)

在当前迅速发展的显示技术中，薄膜晶体管液晶显示器以其大容量、高清晰度和高品质全真彩色受到人们的广泛青睐。薄膜晶体管液晶显示器的显示质量和整体性能在很大程度上取决于薄膜晶体管(TFT)性能。透明的薄膜晶体管作为当前最具有商业价值的透明电子器件，即将成为有源矩阵液晶显示(AMLCD)和有机发光显示(OLED)的关键技术。ZnO因其透明性、较高的场效应迁移率，制备成本较低、工艺过程绿色环保等特性比多晶、非晶TFT有更大的优越性。

ZnO-TFT的稳定性是制约显示性能的主要因素，主要表现为：（1）在栅偏压老化过程中，阈值电压的移动；（2）温度变化引起的不稳定性。这种不稳定性在电流驱动的OLED现实中更显重要，因为它会影响像索的亮度不稳定。为了克服这种不稳定性，主要的方法是减少界面缺陷态密度，许多研究小组对不稳定性的机理、原因以及解决方法展开了探索研究。2009年Ahn等人将氧化物TFT放入氮气环境中350℃退火，结果器件的稳定性整体改善，退火后器件的阈值电压漂移由原来的5.3 V变为2.1 V，张新安等人研究了退火温度对硅衬底上制备ZnO-TFT器件电学性能的影响。

为了通过退火工艺提高ZnO-TFT的稳定性，使得ZnO-TFT驱动的显示屏能够更广泛地推向市场，特需研发适用于ZnO薄膜晶体管的退火设备。真空加热具有排除有害气体、吸附气体的保护、除气作用及净化作用，具有提高表面光亮度和力学性能的作用。……