张海平，尤 春，周家万，陈 卓

(无锡中微掩模电子有限公司，无锡214035)

在集成电路设计与圆片制造之间起到桥梁的作用掩模按其类型可分为二元掩模和相移掩模。二元掩模主要用于低阶集成电路生产制作，相移掩模主要用于高阶集成电路制作。通常，线宽在0.18 μm 以下的集成电路生产主要采用相移掩模。相移掩模的生产制作流程主要有曝光—显影—金属Cr 刻蚀—量测—去胶—相移层蚀刻—量测—涂胶—二次曝光—检验—修补—清洗—贴膜等。

在相移掩模实际生产过程中，掩模制作完成之后会因为种种原因出现结晶现象，从而导致相移掩模不能正常使用。通过分析，产生结晶的主要原因是相移掩模表面的硫酸根离子与铵根离子发生了化学反应，生成了硫酸铵即晶体。掩模在生产制作过程中，主要是在清洗过程中需要接触到硫酸根离子。因此，为了避免和控制结晶现象的产生，必须努力减少相移掩模表面的硫酸根离子浓度，提高清洗过程中的成品率。

本文在分析的基础上做了如下几组对比实验来改善清洗完成之后掩模表面的硫酸根残留量。

1 实验

目前掩模的清洗主要有传统的SPM+SC1 和SOM+SC1 清洗。新的清洗技术有采用添加172UV照射和干法清洗。本文主要从最终清洗过程中，172UV 照射、热水和臭氧对相移掩模表面硫酸根离子的影响来进行对比实验，从而得出几种参数对相移掩模清洗的影响。

1.1 红外线照射＋冷水清洗

取8 片相同的Mask 进行曝光显影并选用相同的清洗Recipe 进行预清洗，即硫酸—热水—SC1—热水的传统清洗方式。……