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利用表面磁光克尔效应监测Ni薄膜生长的物相转变

2012-01-26石绍华欧阳雨李道勇曹伟然

物理实验 2012年8期
关键词:磁场信号

石绍华,欧阳雨,李道勇,曹伟然

(1.曲阜师范大学 激光研究所,山东 曲阜273165;2.临沂大学 理学院,山东 临沂276005)

1 引 言

磁性薄膜随着磁记录技术、传感器技术等的发展一直备受关注[1-4].磁性薄膜的宏观特性来源于其不同的微观物相,所以在磁性薄膜制备过程中对薄膜微观物相的控制历来是磁性薄膜制备技术的研究重点.如何精确控制磁性薄膜的厚度、磁性薄膜晶粒结构和尺寸、镀膜的稳定性与重复性,需要合适的监测检验技术.磁性薄膜的监测检验技术手段多样,可以用XRD,TEM,SEM,AFM,MFM等手段对薄膜物相的微观结构进行研究[5],以及测量薄膜的磁电阻、Hall效应、磁化强度、交流磁导率等多种宏观特性[6].本文研究了利用表面磁光克尔效应(Surface magneto-optic Kerr effect,SMOKE)对磁控溅射法制备的镍薄膜生长过程中的物相变化现象.

2 实 验

2.1 镍薄膜的制备

镀膜采用沈阳科友真空仪器研究所制造的磁控溅射仪,靶材为99.99%镍,基底为SiO2单晶片.首先利用机械泵和涡轮分子泵二级抽气系统对溅射室抽气,压强降为10-4Pa时通入纯氩气,控制氩气流量为10 m L/s对溅射室冲洗3 min.然后调整氩气流量为20~25 m L/s,同时控制溅射室与分子泵之间的闸板阀使得溅射室的氩气压强维持在5 Pa.调节稳流源功率使溅射靶区氩气电离起辉后,控制电离电流和电压使溅射功率维持在20 W,靶和基片的距离为30 cm,预溅射30 s后打开挡板,在室温下制作SiO2单晶片基底上镍薄膜4片,各样品的冷却时间为5 min.其中样品1,2和3是常温下溅射生成,样品4在相同的技术下溅射……

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