汪礼胜，陈凤翔

（武汉理工大学 理学院 物理科学与技术系，湖北 武汉430070）

1 引 言

在半导体物理中，除热激发外，还可以通过光注入、电注入和高能粒子辐射等使半导体中的电子和空穴增加，产生超出平衡态的过剩载流子．这些比热平衡状态多出来的过剩载流子就是非平衡载流子．相对于非平衡多数载流子，非平衡少数载流子对半导体器件的影响处于主导、决定的地位，所以在一般情况下所讨论的非平衡载流子是指非平衡少子．非平衡载流子产生后，通过复合作用而消失，每个非平衡载流子从产生到复合，都有一定的生存时间，但各不相同，所有非平衡载流子的平均生存时间称为非平衡载流子寿命，又称少子寿命［1］．

少子寿命是半导体电流连续方程的基本参量之一，对半导体器件特性的精确描述起着重要作用．在半导体器件设计和制造工艺中对少子寿命的控制已成为优化器件特性的重要手段．对少子寿命有明显依赖关系的器件主要有双极型器件、太阳能电池等光电子器件［2］．因此，少子寿命问题是半导体器件最重要的材料物理问题之一．在半导体物理教学过程中，少数载流子寿命是重要知识点，少子寿命与载流子的漂移、扩散和复合等有关，往往学生对这部分内容理解较为困难．为了使课堂讲授的物理理论具有较为生动而牢靠的实验基础，在教学过程中向学生直观地演示非平衡载流子随时间的衰减过程，定……