李达人，蔡一湘，刘祖岩，王尔德

（1.广州有色金属研究院粉末冶金研究所，广东 广州 510651；2.哈尔滨工业大学材料科学与工程学院，黑龙江 哈尔滨 150001）

W与Cu属于不互溶材料，传统上一般采取熔渗烧结或液相活化烧结工艺方法制备，但很难获得高致密度和优良的性能（主要为电导率，热导率和硬度值）。钨铜材料由于其具有良好的耐电弧烧蚀性和抗熔焊性等优点，已被应用于真空开关电触头材料、电热合金和高密度合金、电阻焊、电火花加工和等离子电极材料、电镦等电加工用的电极和砧块等［1-4］。

近年来，钨铜材料由于其良好的导热性能在大规模集成电路和大功率微波器件中作为基片、嵌块、连接件和散热元件，在电子器件与耐高温器件中获得了大的发展。如：电子封装材料，计算机中央处理系统、大规模集成电路的引线框架，固态微波管等电子器件的热沉基片等。“宙斯盾”系统的AN/SPY相控阵雷达，也采用了钨铜材料作为雷达微波管的热沉［5-8］。

根据钨铜材料的内部结构，国内外的一些学者分别提出了一些具有各自特色的物理模型，主要是与热物理性能有关的理论模型［9-10］。广州有色金属研究院的蔡一湘教授［11］根据其中German的互联结构模型进行了一些推导和计算，得到了热导率和热膨胀系数的理论值，但没计算电导率。本文补充了Gasik提出的微观力学结构模型，对各个物理模型下理论电导率值进行了推导和计算，并在此基础上，根据实际应用中最常见成分配比的钨铜材料（质量分数为10～50％Cu）的组织特点进行了分析筛选，确定了不同铜含量的钨铜材料所适用的模型和物理性能参数理论值。……