王建利 孙强 李静 马农农 薄春霞 （中国电子科技集团公司第46研究所 天津300220）

GaAs抛光片在MOCVD中斑现象分析

王建利 孙强 李静 马农农 薄春霞 （中国电子科技集团公司第46研究所 天津300220）

为了解决2英寸低阻掺硅砷化镓单面抛光片在MOCVD中“白斑”、“暗斑”的质量问题，从不同公司加工的同一规格的抛光片中取样，分别进行了光荧光谱（PL）、二次离子质谱（SIMS）等测试。通过对这些测试结果进行综合分析，最终确定了造成产品出现“斑”现象的原因，通过改进工艺，向MOCVD用户提供了满足要求的砷化镓抛光片。

掺硅砷化镓单面抛光片 光荧光谱（PL） 二次离子质谱（SIMS）

0 引言

试分析，最终找到了问题产生的原因。通过改进工艺，客户再没有因为“斑”现象而对我们进行过投诉。

2007年11月份，我公司提供的2英寸砷化镓单面抛光片，在某用户使用后，出现了两种比较严重的缺陷，分别称之为“暗斑”和“白斑”，曾一度导致了用户对我们的产品进行退货、停用。我们从国外某公司、本所加工的抛光片中取样，进行了测

1 试验一：光荧光谱（PL谱）测试

2008年1月31号，准备了如表1中所述样片到质检中心进行了PL谱（光荧光谱）测试。

表1 测试样片

本次进行的光荧光谱测试从以下两个方面进行：光荧光谱，主要得到发光峰位，光谱强度，发光半高宽值；采用激光做光源的PL云图。

如图1所示，测量光荧光谱时，设定在晶片表面测9个点，分别是中心，从中心到边缘20 mm且每隔45°测一个点，这样，总共测9点/片。设定中心点编号为0，顺时针方向，从0点开始依次为 1、2、3、4、5、6、7、8 号，图 1 是 PL测试时光源在晶片表面的测点示意图。……