挑战与机遇随LTE倍增芯片如何给力无线技术创新?
2011-03-06鲁义轩
本刊记者 | 鲁义轩
终端芯片工艺正在从65nm向28nm迈进,多模手机也将成为主流。

运营商3G一再升级,智能终端的芯片能力以及无线模块也不断更新。
LTE的商用能力取决于芯片环节的成熟,这已是不争的事实。
从去年全球各地建设LTE试验网、世博会试用TD-LTE到今年多个地区开通LTE商用服务、国内TD-LTE进入6+1城市规模试验阶段,LTE终端数量也随之不断增多,但相比先期涌现出的单模LTE终端,终端和芯片厂商已将多模多频视为现阶段的攻关重点。
多模需求增大
LTE在今年正式开局,也对芯片提出了兼容FDD/TDD/WCDMA/EV-DO/GSM等多制式、支持十几个频段的新需求。尽管参与LTE芯片研发的企业数量越来越多,但一位业界人士直言不讳称,对目前LTE芯片领域热闹非凡的现象不要太过乐观,因为多模多频的挑战会在LTE接下来发展中变得越来越现实,而届时真正能支持此需求的芯片厂家并不多。“最大的挑战来自于射频收发RFIC,从目前的技术水平看,真正有能力支持多模十几个频段的RFIC厂商仅包括高通、ST-Ericsson等几家。”
中国移动终端部副总经理耿学锋不久前在某厂商的会议上表示,在今年5~9月的第一阶段LTE终端测试上将进行TD-LTE单模测试,完成单模主要技术验证;今年10月到明年3月的第二阶段将进行TDD/FDD多模测试,2012年7~12月实现小批量的验证,同时要求厂商具备商用供货能力。
相比之下,具有丰富商用经验的芯片巨头在多模产品上动作更快,例如今年2月ST-Ericsson推出的Thor M7400平台已具备支持大多接入技术包括LTE FDD、TD-LTE、HSPA+、TD-SCDMA、EDGE等。
联芯科技也于今年4月推出国内首款TD-LTE/ TD-HSPA双模基带处理器芯片LC1760。……
