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美国劳伦斯伯克利国家实验室研制低成本高质量纳米线太阳能电池

2011-02-13

浙江电力 2011年12期
关键词:纳米线空穴内核

美国劳伦斯伯克利国家实验室研制低成本高质量纳米线太阳能电池

美 国 劳 伦 斯 伯 克 利 国 家 实 验 室 (Lawrence Berkeley National Laboratory)宣布研制出一种低成本高质量且生产工艺简单的纳米线(nanowire)太阳能电池。该电池采用半导体硫化镉作为内核,以硫化铜作为外壳。其在开路电压以及填充系数(fill factor)方面均优于传统平板太阳能电池, 而这两者决定了太阳能电池所能产生的最大电能。该电池转换效率达 5.4%, 与平板太阳能电池相当。

研究人员表示,目前传统太阳能电池采用高纯度单晶硅晶圆制造, 厚度要求达到约 100 μm以满足光吸收量的要求。另外,晶硅在纯度上的高标准使得制造硅基平板太阳能电池成为高耗能、高成本的复杂过程。由于过去采用高温掺杂工艺进行处理时表面复合和 p-n 结(p-n junction)质量控制难度较大,因此其填充系数和开路电压低于平板太阳能电池。而该项研究首次利用以溶液为基础的阳离子交换化学工艺,制造以硫化镉为内核、硫化铜为外壳的高质量单晶纳米线。专家认为半导体纳米线最有潜力取代硅晶圆,这是一种一维条状材料,其宽度仅为头发的千分之一,而长度可达到毫米级标准。该电池具有众多优点,例如其电荷分离和聚集功能更强、无需使用深加工硅材料进行制造等。

电池核心部分由二层独立材料组成,含有丰富电子的一层为负极,而含有电子空穴的另一层为正极。在吸收太阳光子后,利用光子能量产生电子空穴对(electron-hole pair), 该空穴对将在 pn结处分离并收集电能。研究人员在1年前曾采用一种低成本方法将球形 p-n 结替代传统太阳能电池的平面 p-n 结, 球形 p-n 结的 n 型硅层在 p型硅纳米线的内核周围形成外壳。该结构有效地将单个纳米线转变成一个光伏电池,大幅提高硅基光伏薄膜的光吸收率。现在利用同样方法采用硫化镉和硫化铜制造太阳能电池,但工艺上则使用湿化学法,利用以溶液为基础的阳离子交换反应进行制造。

过去所采用的是物理气相传输气液固法(vapor-liquid-solid,VLS)来合成硫化镉纳米线, 但利用湿化学法同样能得到具有高质量和理想长度的材料。 单晶硫化镉纳米线直径在 100~400 nm,长度为 50 mm, 将其浸入 50℃的氯化铜溶液 5~10 s, 表层硫化镉通过阳离子交换反应变为硫化铜。该方法简单易行,成本低廉,可用于制取高质量异 质 外 延 (hetero-epitaxial)纳 米 材 料 , 避 免 了 传统气相制造方法中的高温掺杂和沉积过程。研究人员认为,通过增加硫化铜外壳材料用量可提高太阳能电池纳米线的转换效率。该电池如果要实现商业化应用, 其转换效率至少需提高至 10%。

摘译自互联网

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