任春霞，杨广成，董 婷，周文超

(1.泰山学院材料与化学工程系;2.泰山学院生物科学与技术系，山东泰安 271021)

迄今为止，在半导体材料中，TiO2被公认为是最好的光催化材料［1］.近几年的研究大多都是围绕对TiO2进行多种元素的共掺杂制的光催化活性较高的光催化剂.钼、钨等元素的杂多酸在光照条件下具有光催化氧化作用，由于Keggin型杂多酸阴离子结构的特殊性，具有很强的接受电子的能力，当TiO2纳米粒子表面修饰杂多酸阴离子后，粒子吸收光子而产生的电子被杂多酸阴离子捕获，从而降低光生电子空穴复合的几率，提高了TiO2光催化效率［2－4］.过渡金属氧化物具有较窄的禁带宽度(如Fe2O3，Eg= 2.2eV，λ=563nm)，可以很好的利用太阳光能，但Fe2O3自身的空穴寿命较短，已发生光腐蚀现象.现有的研究工作大多集中在提高光催化剂的活性方面，如通过过渡金属离子或非金属离子的掺杂，表面光敏化，分子筛等来提高活性［5－6］.

本文采用Sol－gel法制备了SiW12/TiO2，利用浸渍法掺杂过渡金属离子Fe3+、Ni2+，制备了新型纳米光催化剂.利用激光粒度仪，FT－IR等手段对催化剂的结构和粒度进行表征，并用氯乙酸模拟有机污染物考察光催化剂的活性.结果表明过渡金属离子掺杂SiW12/TiO2对有机污染物氯乙酸的光催化降解效果良好.

1 实验部分

1.1 试剂和仪器

钛酸丁酯(C16H36O4Ti AR天津科密欧化学试剂开发中心);

硅钨酸(H4SiW12O40AR国药集团化学试剂有限公司);硫酸铁和乙酸镍(分析纯，上海国药集团化学试剂有限公司);实验中所用其余试剂均为分析纯.

FT－IR(FTIR NICOLET6700美……