叶坤，张梦璐，蒋乐，豆兴昆，丁浩

（中科芯集成电路有限公司，江苏无锡 214072）

1 引言

低噪声放大器作为射频接收机前端的关键部分，能够在降低噪声干扰的同时放大天线的接收信号。其较高的增益可以保证对微弱信号的放大及对后级链路噪声的抑制，优良的噪声性能可以提高接收机的灵敏度[1]，因此在进行系统设计时需要低噪声放大器尽量满足宽频带、低噪声、低功耗、高增益等指标要求。

宽带放大器的常见结构包括平衡式、分布式及反馈式结构[2]。文献[3]基于分布式结构实现了0.1～18 GHz 宽带低噪声放大器，增益大于18 dB，噪声系数小于4 dB。文献[4]采用了兰格耦合器的平衡式结构，该低噪声放大器在19～26 GHz 频带内增益高于18 dB，噪声系数典型值为4 dB。文献[5]设计了两级级联的并联负反馈式低噪声放大器，工作频段为2～20 GHz，增益典型值大于20 dB，噪声系数典型值为3 dB。查阅文献可以发现，相比于其他两种放大器，反馈式放大器结构简单，更容易实现。

本文基于0.15 μm GaAs 赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺设计了一款工作频段在9～26 GHz 的宽带低噪声放大器，采用三级共源放大电路级联的拓扑结构，通过负反馈及电流复用结构改善增益平坦度、带宽、功耗等性能。该芯片具有较宽的频带、较低的功耗和噪声系数，可应用于无线通信、卫星接收、雷达及电子对抗等设备。

2 电路设计

2.1 器件选型

在设计低噪声放大器时，管芯尺寸和偏置点的选择在一定程度上决定了芯片的噪声、功耗及输出功率等性能，而电感的品质因数Q 则对电路的功率及噪声匹配有较大的影响，因此在进行电路设计前需要先选择合理的管芯大小、直流偏置点以及电感模型。……