吴新竹

受2020年疫情冲击以及5G手机、通用服务器等需求端的影响，存储芯片景气上行，于2021年到达周期顶点，尔后周期性回落，目前下行时间已持续超过1.5年。存储芯片价格持续下降，2022年四季度起，以美光、三星等为代表的海外龙头厂商下调资本开支，减少晶圆的供给，行业进入减产周期。2023年二季度，头部厂商库存呈下降趋势，周转速度提升，而价格降幅已达历史高点，各厂商利润收缩，下游需求的弱复苏导致周期底部拉长至2023年三季度，行业预计存储周期拐点将至。

随着存储安全上升至国家战略地位，海外大厂持续退出利基市场，国产厂商崭露头角，迎来成长良机。未来AI模型逐渐复杂化，将刺激更多的存储器用量，带动服务器DRAM、企业级SSD以及HBM的需求成长。

供给收缩 价格触底 

存储芯片每隔3-4年经历一轮周期，上行和下行周期均为1.5-2年，本轮下行周期自2021年四季度开始，持续时间已超过1.5 年。以DRAM芯片为例，2014年二季度、2017年四季度和2021年三季度是价格顶部，2016年二季度和2019年四季度是价格底部，本轮周期DRAM价格于2021年三季度见顶，目前下行周期持续时间已超过1.5年，2023年6月DRAM现货价格环比跌幅较小且明显趋缓，DDR4 4Gb的合约价格、DDR4 8Gb的合约价、DDR3 4Gb的现货价格均已跌破上一轮周期底部价格，本轮存储器周期底部渐近。

龙头厂商相继削减资本开支，成熟产品、新品投产放缓。据统计，三星电子、SK海力士、美光和西部数据2023年的资本开支同比下降19%，超过2019年的13%；旺宏电子、华邦电子和南亚科技2023年资本开支同比下降46%，超过2019年的34%。

铠侠自2022年10月起对日本四日市和北上市的NAND工厂减产30%，SK海力士在2022年四季度减少部分低利润及高库存产品的晶圆产能。2023年2月，西部数据宣布将把NAND闪存晶圆的产量减少到当时水平的30%。美光自2022年11月将DRAM和NAND晶圆产量减少约20%，近期又将开工率进一步减少至接近30%，预计减产将持续到2024年。三星电子2023年4月宣布减产计划，7月预计将DRAM存储器月产量削减至62万片，同比减少12%以上，创下公司2021年三季度以来DRAM产量的新低。

截至2023年7月6日，服务器、PC主流存储器产品以及手机主流存储器产品与2021年5月高点时比降价幅度在60%-70%，部分DRAM、3D NAND以及SLC NAND、DDR3、NOR Flash利基型存储产品已经跌破现金成本价。

需求弱复苏

存储芯片下游主要应用领域为服务器、手机和个人电脑等，2022年服务器出货量同比增长4.7%，手机出货量同比下降11.3%，个人电脑出货量同比下降22.9%。2023年一季度，前四大服务器厂商下调采购量，Dell及HPE等OEM厂商亦下调全年出货量预估，预计2023 年全年服务器整机出货量1383.5万台，同比减少2.85%。尽管2023年AI服务器的出货量将同比增长超过10%，但由于目前AI服务器占整体服务器的出货比例不及10%，短期内整体疲弱的态势仍将持续。

2023年二季度，全球PC出货量总计5970万台，同比下降16.6%，与前两个季度约30%的降幅相比有所收窄。手机市场需求持续疲软，受库存影响各厂商新机发布节奏放缓：舜宇光学科技2023年6月手机镜头出货量增长25.8%，环比下降3.7%，手机摄像头模组出货量同比增长29.3%，环比上涨6.7%；大立光6月营收环比增长2.6%，同比减少20.5%，反映出智能手机产业链复苏较弱。据调研，2023年一季度，全球智能手機出货量同比下滑13.2%至2.64亿部，二季度预计同比下滑6.4%至2.57亿部，2023年智能手机出货量预计下滑3.2%，2024年将恢复增长，增速或将达到6%。

虽然汽车存储市场占存储市场不到5%，其增速远超行业平均增速。2023年1-6 月，中国新能源汽车累计销量374.7万辆，同比增长44.1%；欧洲七国新能源乘用车销量达到100.1万辆，同比增长15.8%；美国新能源乘用车销量达到69.9万辆，同比增长52.6%。在汽车智能座舱、自动驾驶渗透驱动下，美光预计2025年一辆普通汽车所需的DRAM和 NAND容量将分别提高3倍和4倍。据预测，2021-2027年汽车存储市场将从43亿美元增加至125亿美元，对应复合增速为20%。

近期部分全球十五大半导体厂商公布了2023年二季报或业绩指引。SK海力士指出，一季度客户库存转为下跌趋势，二季度起存储器减产将使供应商的库存减少，二季度市场环境得到改善。三星则表示存储器业务的业绩相比上一个季度大幅度下滑，是持续库存调整和整体需求下降的结果，预计市场对半导体的需求在2023年下半年逐步恢复。美光二季度营收环比增长1.5%，一季度的库存周转天数从上季度的211天下降到164天，2023年二季度继续下降到161天，库存拐点显现；该公司认为，人工智能服务器对于内存芯片和存储芯片的市场拉动超预期，预计2023年底服务器端客户的库存水位达正常水平，存储器行业的收入低谷期已经过去，随着行业供需平衡逐渐恢复，预计利润率将会改善。

随着中国经济的数字化转型，国内对信息安全可靠和自主可控的需求不断增加，存储产品作为数据中心的重要组成部分，存储安全也上升到国家战略地位。目前中国存储需求占全球30%，自给率低于10%，利基存储市场合计超164亿美元，海外大厂持续退出，国产厂商崭露头角迎成长新机。

NAND Flash模组主控芯片是存储器的大脑，全球SSD主控芯片中门槛较高的企业级SSD占12.4%，工业级占3.7%，为国产厂商主要发力方向。A股上市公司产品已覆盖工规级SSD、车载 SSD及工业级内存模组等，应用于5G基站、智能汽车、智慧城市、工业互联网等领域。国产DDR4产品已经量产，17nm DDR5技术正在突破。随DDR5的渗透，DRAM模组在内存接口芯片基础上加入串行检测集线器、温度传感器以及电源管理芯片等配套芯片，其市场将由2021年7.1亿美元增至2027年约40亿美元，复合增速约为28%。

AI拉动下一代存储产品

DDR5在2022年的渗透率约为10%，2023年起有望加速渗透，行业预计2024年DDR5的渗透率将超50%。随着AI服务器市场规模增长，采用高容量存储器的客户在增加。为此，存储芯片厂商调整经营策略，如SK海力士决定以DDR5服务器DRAM和HBM等高性能DRAM、采用176层NAND的SSD、uMCP产品为中心进行销售。

SSD与嵌入式存储为NAND Flash模组的主要形式，研究机构预计2022-2028年SSD市场总规模将从290亿美元增至670亿美元，年均复合增长率为15%，其中企业级与行业级SSD为主增长点；DRAM模组DIMM主要增长来源为服务器，RDIMM出货量年复合增速将达15%，LRDIMM和其他服务器内存模组增速将达21%。

AI模型逐渐复杂化，将刺激更多的存储器用量，带动服务器DRAM、企业级SSD以及HBM的需求成长。数据显示，存储芯片在高性能、推理型、机器学习型服务器中的应用占比分别达到29%、25%和16%；AI服务器由GPU、DRAM、SSD、CPU等组成，目前服务器DRAM的普遍配置约为500-600GB，而AI服务器在单条模组上则多采用64-128GB，平均容量可达1TB以上，对DRAM容量需求是普通服务器的8至9倍，对NAND容量需求是普通服务器的3倍。随着数据密集化，数据中心向异构数据中心架构发展，未来单位服务器对应的存储器数量将倍增。

2023年，AI服务的快速扩张导致对高性能CPU、GPU和HBM的需求增加，HBM成本在AI服务器成本中占比约9%，单机平均售价高达18000美元；到2025年，HBM的市场规模有望快速增长至25亿美元。HBM市场被海力士、三星和美光三大内存原厂占据，据报道，三星已经从英伟达和AMD等公司获得了额外的HBM订单，三星的HBM产品仍拥有50%以上的市场份额，三星电子将投资1万亿韩元扩大其HBM的产能，到2024年，HBM3和HBM3P等产品将产生利润。SK海力士计划投资约1万亿韩元以增强利川工厂的HBM产能。

据观察，1万亿韩元将是最低投资规模，未来三星和SK海力士预计将进一步扩大投资规模。