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低温暗退火对TOPCon结构钝化性能的影响

2023-10-07黄嘉斌赵增超周小荣邓新新

太阳能 2023年9期
关键词:界面结构

黄嘉斌,李 明,赵增超,陈 骏,周小荣,邓新新

(湖南红太阳光电科技有限公司,国家光伏装备工程技术研究中心,长沙 410000)

0 引言

近年来,n型隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池在光伏研究领域引起了极大的关注。在钝化界面氧化物上制备高掺杂多晶硅层是高效硅太阳电池实现载流子选择性钝化接触的一种先进方法,该方法具有优异的钝化质量和较低的饱和电流密度J0,实现了26.1%的最高钝化效果[1]。氢钝化步骤的加入对于TOPCon结构达到所需的钝化效果至关重要,c-Si/SiO2界面处的氢钝化通常是通过沉积SiNx:H和高温烧结来实现的,在此过程中,氢原子可以从SiNx:H层扩散到c-Si/SiO2界面处进而实现氢钝化,从而提高太阳电池的光电转换效率。这也可以通过形成气氛退火(FGA)来实现,然而其效果比沉积SiNx:H差,因此,氢钝化这一步骤被纳入TOPCon太阳电池制备工艺流程中的高温烧结金属化形成这一环节中。高温烧结允许氢从SiNx:H层移动到钝化层和界面缺陷,在p型PERC太阳电池制备流程中,通常还包括金属化后电池上的二次专用氢钝化步骤。这种方法通常被称为“高级氢钝化工艺”,包括通过光照或电注入的方式调节载流子密度和退火温度,可以改变PERC太阳电池中硅基底中氢的电荷状态,从而会极大地影响其钝化缺陷的能力。在PERC太阳电池制备流程中,加入“高级氢钝化工艺”可以提高太阳电池的光电转换效率和稳定性。尽管过去的研究中,对p型太阳电池技术中的氢化工艺的发展做了大量工作,但很少有研究探索将氢钝化工艺纳入高效n型钝化接触太阳电池的生产中。……

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