苗乃丹，王冠宇，文剑豪，于明道，周春宇，王 巍

(1.重庆邮电大学 光电工程学院，重庆 400065；2.燕山大学 理学院，河北 秦皇岛 066004)

0 引 言

高性能的异质结双极型晶体管(hetero-junction bipolar transistor, HBT)与低功耗的互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)大规模集成使得BiCMOS技术在电子工业得到了广泛的应用。随着SiGe HBT技术的不断发展，其优异的高频特性和与成熟硅工艺相兼容的优势，广泛应用于高性能微波射频器件与电路之中[1-2]。目前国内外的研究机构和学者都致力于利用各种技术手段优化SiGe HBT的频率性能，充分挖掘其在高频应用中的潜力[3-6]。

随着集成电路的特征尺寸不断减小、集成度不断提高，器件的小尺寸化成为主流趋势。为了与CMOS性能匹配，SiGe HBT的横向和纵向尺寸也相应减小。由文献[7]可知，当SiGe HBT的横向几何尺寸，尤其是发射极宽度向着更小的节点发展，器件的频率特性会大幅度提高。

鉴于此，为了使SiGe HBT能更好满足现代通信系统对高工作频率的要求，在缩小器件尺寸的同时，可以将传统的绝缘体上硅(silicon on insulator， SOI)技术和应变硅技术相结合。SOI技术可以有效抑制闩锁效应，并且具有工作速度快、功耗低、成本低、抗辐照性能好等优点，因此，SOI衬底相比于传统的体硅衬底具有相当明显的优势。印度理工学院团队学者P.K.Misra, S.Qureshi[8-9]对SOI HBT进行了模拟研究，提出了一种利用N+埋层提高薄膜SOI SiGe HBT性能的方法，并可以兼容于130 nm SOI CMOS技术。另外，在先进的半导体器件技术中，通过引入全局应变或者局部应变改变了硅的能带结构，提高了器件载流子迁移率，因此，可以作为附加特性来进一步提高载流子的输运性能。……