刘 瑶，邓正涛

（南京大学现代工程与应用科学学院,南京210023）

金属卤化物钙钛矿半导体材料具有许多优异的光电性能，如高载流子迁移率、高消光系数、可调的吸收和发射光谱、窄的半峰宽、高荧光量子产率（PLQY）及高缺陷容忍度等，并且其溶液合成工艺简单［1］，在太阳能电池、发光二极管（LED）、荧光太阳能聚光器、光电探测器、激光和液晶显示器等领域展现出巨大的应用潜力［2~4］.目前，被广泛研究的铅卤钙钛矿太阳能电池（PSCs）的光电转换效率已达到25.5%，且基于铅卤钙钛矿的LED的外量子效率也超过20%［5］.然而，铅卤钙钛矿材料中都存在重金属元素，并且铅对人体健康和生态环境都会造成严重的威胁.因此，研究者一直致力于开发光电性质优异的非铅卤化物钙钛矿材料［6］.锡与铅是同主族相邻元素，与铅具有相同的价态和相近的离子半径，是最常见的铅的替代品.锡卤钙钛矿具有低毒性、合适的带隙、高吸光系数和高载流子迁移率等优异的特性.但是其结构中的固有缺陷和二价锡离子的氧化（Sn2+→Sn4+）会导致晶体自掺杂效应，从而严重影响其器件性能［7，8］.目前用于改善锡卤钙钛矿光电性能和稳定性的策略主要有4种：（1）添加草酸或次磷酸等还原剂来抑制Sn2+的氧化；（2）降低锡基钙钛矿的维度（3D→2D）；（3）采用四价锡取代二价锡；（4）离子掺杂.其中通过引入长链有机胺阳离子作为A位合成2D结构的锡卤钙钛矿材料是最关键的举措.相比3D结构，2D锡卤钙钛矿往往具有更加优异的光学性能和……