玄鑫淼 王加恒 毛彦琦 叶利娟 张红 李泓霖 熊元强 范嗣强 孔春阳 李万俊

(重庆师范大学物理与电子工程学院,光电功能材料重庆市重点实验室,重庆 401331)

1 引言

日盲紫外光电探测器由于其极低的自然背景噪声、灵敏度高、抗干扰性强、误报率低等优点,在军事和民用领域有着广泛的应用,如导弹跟踪、火灾探测、安全通信、化学/生物分析等[1-5].近年来,制备日盲光电探测器的材料主要集中在宽禁带半导体材料,如AlGaN[6]、ZnMgO[7]、金刚石[8]和Ga2O3[9-11]等.Ga2O3是一种禁带宽度在4.5—5.2 eV的直接带隙宽禁带氧化物半导体材料,因其较高的击穿电场(～8 MV/cm)、良好的热化学稳定性、较低的制作成本和在可见光区域有较高的透过率等优势,且避免了复杂和不可控的合金化过程,被认为是研制日盲光电探测器的理想材料之一[12-14].目前,Ga2O3材料已被用于日盲光电探测器活性层,包括块状晶体、薄膜和各种纳米等结构[15-17].其中,薄膜型日盲探测器以良好的可重复性、易生长、更方便的实际应用等优点受到人们的广泛关注.

在许多新兴的应用中,柔性透明电子器件引起了人们的极大兴趣,具有光学透明和机械柔性的光电子器件为制备下一代可视且兼容的光电子器件奠定了基础.柔性透明的日盲光电探测器是可穿戴的监测和传感系统的核心.迄今为止,大多数报告的Ga2O3基光电探测器是在刚性衬底上制备的[18].近来,基于柔性Ga2O3基光电探测器的相关研究也逐步得到关注,常常使用的柔性衬底主要是……