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45 nm 宽带可连续调谐半导体薄片激光器*

2021-12-09毛琳张晓健李春玲朱仁江汪丽杰宋晏蓉王涛张鹏

物理学报 2021年22期

毛琳 张晓健 李春玲 朱仁江 汪丽杰 宋晏蓉 王涛† 张鹏‡

1) (重庆师范大学物理与电子工程学院,重庆 401331)

2) (中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室,长春 130033)

3) (北京工业大学应用数理学院,北京 100124)

本文报道了一种宽带可连续调谐的半导体薄片激光器.增益芯片的有源区由满足谐振周期增益结构的InGaAs 多量子阱构成,其荧光峰值波长位于965 nm 附近.利用增益芯片量子阱的宽带特性,结合由高反射率外腔镜所构成的直线谐振腔,可保障激光器较低的损耗和较宽的调谐范围.在腔内插入不同厚度的双折射滤波片,可获得连续可调谐的激光波长输出.当双折射滤波片厚度为2 mm 时,激光器的波长调谐范围为45 nm,最大输出功率为122 mW,X 和Y 方向的光束质量M 2 因子分别为1.00 和1.02.文章还对增益芯片面发射谱的温度特性和双折射滤波片对激光线宽的压窄作用进行了讨论.

1 引言

输出波长可连续调谐的激光器在自由空间光通信[1]、光学传感[2]、激光雷达、激光光谱学、环境监测[3]、生命科学[4]等领域都有重要的应用.可调谐激光器的种类也从最初的染料可调谐激光器发展到后来的固体可调谐激光器,以及半导体可调谐激光器.这些激光器在谐振腔的结构、激光增益介质、波长可调谐范围等诸多方面都得到了丰富的拓展.

对于发展最早的染料激光器来讲,虽然其波长可调谐范围宽,激光脉冲能量高,但由于增益介质是有机溶剂,易产生光化……

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