田李庄

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收发多功能芯片作为微波电路重要类别之一，采用高密度集成射频设计，由包括低噪声放大器、驱动放大器、移相器、衰减器和开关的射频通道，以及包括收发控制电路和幅相控制电路的控制网络组成，拥有体积小、重量轻、集成度高等优点，使其在雷达、通信、探测等关键领域中得到了广泛应用，并对此提出了长寿命的评价要求，如何考核和评价成为当前亟待解决的问题。

1 未来芯片技术发展现状

目前，原子尺度硅材料的基本物理限制使得由摩尔定律驱动的硅技术演进路径似乎正快速接近终点。随着摩尔定律走向终结，人工智能、物联网、超级计算及其相关应用却提出了更高的性能要求，半导体产业步入亟需转变突破发展的关键点，芯片架构、材料、集成、工艺和安全方面的创新研究成为新的突破方向[1]。

1.1 新型晶体管技术

1.1.1 新架构晶体管技术

鳍式场效应晶体管（FinField-EffectTran sistor，FinFET）是当前主流半导体制造工艺采用的晶体管架构，成功地推动了从22纳米到7纳米等数代半导体工艺的发展，并将拓展到5纳米和4纳米工艺节点。全环栅晶体管（Gate-All AroundField-EffectTransistors，GAAFET）是一种继续延续现有半导体技术路线寿命的较主流技术，可进一步增强栅极控制能力，克服当前技术的物理缩放比例和性能限制。从3纳米开始，韩国三星电子将放弃FinFET架构转向GAAFET架构，计划在2020年底进行3纳米GAAFET产品风险试生产[7]，2021年底进行批量生产。3纳米以下晶体管潜在技……