李 强，张 楠，郭 靖

(中北大学仪器与电子学院，山西 太原 030051)

集成电路工艺的不断发展导致了器件尺寸不断的减小，从而使得器件敏感区域的临界电荷值不断降低。因此，当环境中的辐射粒子轰击器件的敏感区域时，其耗尽区中的反向电场会将产生的大量电子－空穴对收集，其中P 型MOS 管器件收集多余的空穴，而N 型MOS 管器件收集多余的电子。一旦收集到的电荷超过器件的临界电荷值，就会导致单粒子翻转(Single Event Upset，SEU)现象发生。SEU 在航空航天以及地面高辐射领域中尤为明显，虽然它们不会永久地破坏电路本身，只是将值暂时翻转到其互补值，直到下一个时钟周期来临，但是将会引起电子系统的功能紊乱[1]。当存储电路如D 锁存器中某个单一节点被轰击，即发生单节点翻转(Single Node Upset，SNU)时，该节点的电压值将会发生改变，由于其电路中含有交叉耦合形成的反馈回路，因此其他节点也将发生翻转[2－3]。然而，在目前使用的先进纳米工艺中，晶体管之间的距离、节点寄生电容以及电源电压均越来越小，在电荷共享效应的影响下，多个节点同时发生翻转就成为了可能，即为多节点翻转(Multiple-Node Upset，MNU)[4]。因此，为了确保D 锁存器锁存的数据不受影响，设计能够抵抗MNU 的加固D 锁存器就变得十分重要。

文献[5]和[6]中分别提出了两种加固D 锁存器电路结构，但是均只能实现对MNU 的屏蔽而不是恢复容错，这将导致输出节点处于高阻抗状态，从而消耗更多的漏电功耗；同时，该高阻节点也将更容易被漏电改变其锁存的值。……