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前处理方式对壳核型Ag/SiO2电磁屏蔽涂层的影响

2021-11-08闫家琦苏晓磊刘毅

表面技术 2021年10期

闫家琦,苏晓磊,刘毅

(西安工程大学 材料工程学院,西安 710048)

随着现代科学技术的发展以及5G 时代的到来,各种电子、电气设备为社会发展提供了很高的效率,带来极大的便利,但这些设备产生的电磁辐射与干扰又会影响人们的生活,并产生新的社会问题。根据电磁屏蔽机理,材料的电磁屏蔽性能主要由屏蔽效能(SE)决定,而屏蔽效能与材料表面结构、导电性及其磁性有关。一般认为SE≥20 dB 就可以屏蔽90%的电磁波,当SE≥35 dB 时,可用于民用屏蔽材料,而军方屏蔽材料要求在75 dB 以上[1-2]。

现如今电磁屏蔽的导电聚合物多为填充型,常作为填充材料的有纯金属粉末(银、铜等)、复合金属粉末(镀银铜粉、镀银铝粉、镍包石墨等)、碳系粉末(石墨、碳纳米管等)以及一些本征导电聚合物粉末(聚苯胺等)。而作为填充物的电磁屏蔽剂也追求高性能、低成本、易加工,其中玻璃微珠易生产、成本低、资源多,并且其分散性好、密度小,具有极其稳定的化学性能,处理方便,耐氧化性能强,所以获得越来越多的应用[3-4]。但是,由于玻璃微珠本身没有电磁屏蔽性能,通常将玻璃作为基材使用,在玻璃微珠表面镀覆一层银单质便可以得到一种优良的电磁屏蔽剂[5]。现在制备Ag/SiO2微珠基本都基于化学镀法[6-7]。刘玉凤等人[8]采用传统氯化钯活化的方法,先镀镍再镀银,制备出电阻率为7.64×10-5Ω·cm 的Ag/Ni/SiO2复合粉体,但由于氯化钯成本昂贵且有毒性,因而应用受到限制。朱国庆等人[9]和马莉娜等人[10]均采用不同的偶联改性法处理空心玻璃微珠,得到前处理工艺简便的Ag/SiO2微珠,银层内层致密,外层表面呈银颗粒附着状态。……

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