晶圆级封装中的垂直互连结构
2021-11-04朱亚军戴飞虎高娜燕王成迁
电子与封装 2021年10期
徐 罕,朱亚军,戴飞虎,高娜燕,吉 勇,王成迁,2
(1.中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214072;2.厦门大学电子科学与技术学院,福建厦门361005)
1 引言
封装技术诞生以来伴随着科技的不断创新,到目前为止已经经历了4个阶段:20世纪70年代,以插装型的封装技术形式为主;20世纪80年代,主要以微电子封装技术表面贴装技术为主流;20世纪90年代,随着集成电路技术的不断进步,封装技术主要是以面阵列的方式向小型化和低功率方向发展;进入21世纪后,封装技术进入了快速发展时期,迎来了堆叠式封装技术时代,封装概念从原本的单一器件封装演变成了系统级封装。
21世纪初,晶圆级封装技术实体问世,起初晶圆级封装依靠其封装尺寸小型化、低成本和高性能的优势在市场应用中获得认可,但随着用户需求的不断提升,移动设备向高集成化、轻量化以及智能化的趋势发展,对先进封装提出了更高的要求。2010年之后,封装技术有了质的突破,在封装体的纵向和横向上取得显著成效,出现了扇出型封装、多芯片异构集成封装、三维异质集成封装以及将所有封装形式和结构融合于一体的系统级封装。
作为上下互连的中介层结构,垂直互连结构对三维封装集成能力以及实现系统整合具有不可替代的作用,其中硅通孔(Through Silicon Via,TSV)、塑封通孔(Through Molding Via,TMV)和玻璃通孔(Through Glass Via,TGV)互连结构在近些年的先进封装领域中是最为普遍的结构,通过垂直互连提高了封装体的高密度互连能力,使得集成度更高、传输速率更快、寄生干扰更小、高频特性更优越。……
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