一种双向超低电容TVS 器件的研制

2021-10-26徐敏杰周琼琼葛伟坡

电子器件 2021年4期

关键词：工艺

徐敏杰，周琼琼，葛伟坡，韩健

(杭州士兰集昕微电子有限公司,浙江杭州 310018)

瞬变电压抑制器(Transient Voltage Suppressor,简称TVS)是一种二极管形式的保护器件,利用硅PN结反向雪崩击穿和正向压降特性而制成,受到反向瞬态高能量冲击时,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收浪涌功率,使两极间的电压钳位于一个预定值,保护电子线路中的精密元器件,免受浪涌脉冲的损害。具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、体积小等优点。广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流、家用电器、IC 驱动保护等。

相对于单向器件,双向器件由于具有正、反两个方向的常规电性I-V曲线基本对称的特征,从而在实际应用中,能同时保护电路的两个方向,所以应用范围更广。

目前双向TVS 主要采用纵向NPN 三极管形成双向近似对称结构[1],结构较复杂,电容(f=1 MHz)典型值15 pF,响应时间较慢。而手机或移动终端等对反应速度、传输速度都有较高要求,小于1 pF 的超低电容是必须满足的硬性指标。

基于以上的课题背景,本论文针对现有双向TVS 的不足及广泛的市场需求,旨在提供一种双向击穿电压7 V,电源Vcc 对地GND 电容小于0.9 pF的超低电容的双向TVS 的结构及工艺制造方法。